Составители:
Рубрика:
Рис. 1.3 Схема для снятия обратной ветви ВАХ ода.
зависи-
я U
с
и сравните с
Рис. 1.4 Схема для исследования барьерной емкости диода.
1. Какие типы диодов Вы знает ? Приведите их условные обо-
значения.
проводниковых приборов?
проявляется температурная зависимость полупровод-
ди
Задание 3. Используя схему на рис.1.4, исследуйте
мость барьерной ёмкости диода от напряжени
результатами расчёта по формуле: С
i
=С
0
(U
i
/U
0
-1). Цепь для
исследования состоит из источника напряжения U
c
, резистора
R, генератора (амплитуда 1В, частота 1МГц), мультиметра,
эталонного конденсатора C
0
и исследуемого диода VD типа
(ideal) с барьерной ёмкостью C
i
=100 пФ при нулевом напряже-
нии на переходе.
Контрольные вопросы.
е
2. Как определяют дифференциальное и статическое сопротив-
ление полу
3. Какие виды пробоя p-n перехода существуют и в чём их от-
личие?
4. Какими видами ёмкости обладает p-n переход?
5. В чём
никовых приборов?
13
Рис. 1.3 Схема для снятия обратной ветви ВАХ диода. Задание 3. Используя схему на рис.1.4, исследуйте зависи- мость барьерной ёмкости диода от напряжения Uс и сравните с результатами расчёта по формуле: Сi=С0 (Ui/U0-1). Цепь для исследования состоит из источника напряжения Uc, резистора R, генератора (амплитуда 1В, частота 1МГц), мультиметра, эталонного конденсатора C0 и исследуемого диода VD типа (ideal) с барьерной ёмкостью Ci =100 пФ при нулевом напряже- нии на переходе. Рис. 1.4 Схема для исследования барьерной емкости диода. Контрольные вопросы. 1. Какие типы диодов Вы знаете? Приведите их условные обо- значения. 2. Как определяют дифференциальное и статическое сопротив- ление полупроводниковых приборов? 3. Какие виды пробоя p-n перехода существуют и в чём их от- личие? 4. Какими видами ёмкости обладает p-n переход? 5. В чём проявляется температурная зависимость полупровод- никовых приборов? 13
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- …
- следующая ›
- последняя »