Электроника. Электронная лаборатория на IBM PC. Система моделирования Electronics Workbench. Горева Т.И - 49 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

Лабораторная работа №5.
Исследование полупрово никового стабилитрона. д
Цель работы. Приобретение навыков расчета и эксперимен-
тального исследования электрических цепей с полупроводни-
ковыми стабилитронами.
Краткая теория.
Режим электрического пробоя p-n-перехода находит практи-
ческое применение. Такие диоды носят название полупровод-
ни-ковых стабилитронов.
Напряжение стабилитрона в рабочем режиме мало зависит от
тока. На рабочем участке характеристики от I
max
до I
min
зави-
симость напряжения от тока характеризует дифференциальное
сопротивление стабилитрона:
R
i
=∆U
ст.
/∆I
ст.
При использовании стабилитрона для стабилизации напряже-
ния его включают параллельно нагрузке R.
В неразветвленную часть цепи включают ограничительный
резистор, сопротивление r которого должно быть значительно
больше дифференциального сопротивления стабилитрона R
i
.
При двухстороннем изменении питания рабочую точку на
характеристике стабилитрона выбирают посередине рабочего
участка, т.е.
I
ст
=(I
max
+I
min
)/2
Для этого напря равно: жение питания должно быть
ε= U
ст
+r*(I
н
+I
ст
) (5.1.)
При изменении напряжения питания вследствие нестабиль-
ности в пределах ∆ε
0
напряжение на стабилитроне и нагрузке
будет изменятся на величину ∆U
ст
, которая значительно мень-
ше ∆ε
0
. Из выражения (5.1.)следует:
∆ε
0
= U
ст
+r*(I +I )= ∆U /R+∆U
ст
/R
i
)
н ст ст
∆U
ст
+r*(
или
∆U
ст
=∆ε
0
/(1+r/R+r/R
i
).
При r/R
i
>>1 следует ∆U
ст
<<∆ε
0
т.е. напряжение на выходе
изменяется значительно меньше, чем напряжение на входе ста-
билитрона.
49
                 Лабораторная работа №5.

     Исследование полупроводникового стабилитрона.

Цель работы. Приобретение навыков расчета и эксперимен-
тального исследования электрических цепей с полупроводни-
ковыми стабилитронами.

                       Краткая теория.
  Режим электрического пробоя p-n-перехода находит практи-
ческое применение. Такие диоды носят название полупровод-
ни-ковых стабилитронов.
  Напряжение стабилитрона в рабочем режиме мало зависит от
тока. На рабочем участке характеристики от Imax до I min зави-
симость напряжения от тока характеризует дифференциальное
сопротивление стабилитрона:
                         Ri=∆Uст. /∆Iст.
При использовании стабилитрона для стабилизации напряже-
ния его включают параллельно нагрузке R.
  В неразветвленную часть цепи включают ограничительный
резистор, сопротивление r которого должно быть значительно
больше дифференциального сопротивления стабилитрона Ri.
  При двухстороннем изменении питания рабочую точку на
характеристике стабилитрона выбирают посередине рабочего
участка, т.е.
                        Iст=(Imax+Imin)/2
  Для этого напряжение питания должно быть равно:
                  ε= Uст+r*(Iн+Iст)       (5.1.)
  При изменении напряжения питания вследствие нестабиль-
ности в пределах ∆ε0 напряжение на стабилитроне и нагрузке
будет изменятся на величину ∆Uст, которая значительно мень-
ше ∆ε0. Из выражения (5.1.)следует:
         ∆ε0= Uст+r*(Iн+Iст)= ∆Uст+r*(∆Uст/R+∆Uст/Ri)
                              или
                    ∆Uст=∆ε0/(1+r/R+r/Ri).
  При r/Ri>>1 следует ∆Uст<<∆ε0 т.е. напряжение на выходе
изменяется значительно меньше, чем напряжение на входе ста-
билитрона.

                                                           49

Страницы