Электроника. Электронная лаборатория на IBM PC. Система моделирования Electronics Workbench. Горева Т.И - 63 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

Рис.8.1 . Схемы простейших ДУ.
В этом случае разность потенциалов между коллекторами
будет пропорциональна удвоенному значению изменения
напряжения на коллекторе транзисторов. При этом через
резистор R
е
; будет течь неизменный ток. Если положительное
приращение получит сигнал только на одном входе, напри-
мер, на первом, это приведет к увеличению коллекторного
тока транзистора VT1 и, следовательно, тока через резистор
R
е
. Но увеличение падения напряжения на резисторе R
е
вызовет уменьшение разности потенциалов между базой и
эмиттером транзистора VТ2, и его ток уменьшится, причем из-
менение тока транзистора VТ2 будет таково, что приращения
напряжений эмиттер-база обоих транзисторов будут одинако-
вы. Следовательно, при увеличении входного напряжения на
некоторую величину потенциал эмиттера увеличится на поло-
вину этой величины. При этом приращение напряжения база-
эмиттер для обоих транзисторов будет одинаковым, но разного
знака.
Очевидно, что независимо от того, на какой вход каскада по-
даются напряжения, токи транзисторов меняются одинаково и
приращения их вызваны половиной разности напряжений,
приложенных между
входами. Это дает основание при анализе
дифференциального каскада рассматривать только одну его полови-
63
Рис.8.1 . Схемы простейших ДУ.

     В этом случае разность потенциалов между коллекторами
будет пропорциональна удвоенному значению изменения
напряжения на коллекторе транзисторов. При этом через
резистор Rе; будет течь неизменный ток. Если положительное
приращение получит сигнал только на одном входе, напри-
мер, на первом, это приведет к увеличению коллекторного
тока транзистора VT1 и, следовательно, тока через резистор
Rе. Но увеличение падения напряжения на резисторе Rе
вызовет уменьшение разности потенциалов между базой и
эмиттером транзистора VТ2, и его ток уменьшится, причем из-
менение тока транзистора VТ2 будет таково, что приращения
напряжений эмиттер-база обоих транзисторов будут одинако-
вы. Следовательно, при увеличении входного напряжения на
некоторую величину потенциал эмиттера увеличится на поло-
вину этой величины. При этом приращение напряжения база-
эмиттер для обоих транзисторов будет одинаковым, но разного
знака.
  Очевидно, что независимо от того, на какой вход каскада по-
даются напряжения, токи транзисторов меняются одинаково и
приращения их вызваны половиной разности напряжений,
приложенных между входами. Это дает основание при анализе
дифференциального каскада рассматривать только одну его полови-

                                                            63

Страницы