Электроника. Электронная лаборатория на IBM PC. Система моделирования Electronics Workbench. Горева Т.И - 72 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

непосредственной связи баз транзисторов с выходами преды-
дущего каскада.
Третий усилительный каскад выполнен на транзисторах
T
7
,,T
8.
Выход его связан с входом транзистора T
9
, на котором
реализован выходной эмиттерный повторитель. Построение
третьего усилительного каскада таково, что транзисторы Т
7
,
Т
8
представляют собой как бы управляемые элементы входного
делителя эмиттерного повторителя. Управление транзистором
Т
7
производится по цепи базы выходным сигналом второго
каскада, управление транзистором Т
8
- по цепи эмиттера на-
пряжением на резисторе R
12
, создаваемым от протекания че-
рез этот резистор тока эмиттера транзистора 7
9
. Транзистор
Т
6
входит в контур положительной обратной связи, позво-
ляющей обеспечить высокий коэффициент усиления третьего
каскада. Совместное действие транзисторов Т
7
, и Т
8
направле-
но либо на увеличение, либо на уменьшение (в зависимости
от сигнала на входе транзистора Т
6
) входного напряжения
эмиттерного повторителя, т. е. потенциала базы транзистора
Т
9
относительно шины —Е
к2
. Повышение напряжения на базе
транзистора T
9
обусловливается уменьшением сопротивления
постоянному току транзистора T
7
,а также увеличением со-
противления транзистора Т
8
, и наоборот.
Рассмотрим характер изменения выходного напряжения
ОУ при изменении сигнала на базе транзистора Т
7.
При входных напряжениях ОУ U
вх
.
в
=U
вх.и.
=0 напря-
жение на коллекторе транзистора Т
в
таково, что близкие по
величине потенциалы базы и эмиттера транзистора Т
д
относи-
тельно шины -Е
К2
равны +Е
к
и напряжение на выходе ОУ
U
ВЫх
= 0.
Если под действием входных сигналов (показанных на
рис.9.2. в виде полуволн) напряжение на коллекторе транзи-
стора Т
6
увеличится (положительная полуволна), то увели-
чатся также токи I
б
, I
э
транзистора Т
7.
Это приводит к увели-
чению токов I
б
, I
э
транзистора T
9
. Напряжение на резисторе
R
12
повышается, что уменьшает напряжение U
бэ
и токи I
б
, I
к
транзистора T
8.
Ввиду возрастания тока /
э
транзистора Т
7,
и
уменьшения тока Iк транзистора Т
8
потенциалы базы и
эмиттера транзистора Т
9
относительно шины — Е
К2
становятся
больше +Eк. На выходе усилителя воздается напряжение по-
72
непосредственной связи баз транзисторов с выходами преды-
дущего каскада.
   Третий усилительный каскад выполнен на транзисторах
T7,,T8. Выход его связан с входом транзистора T9, на котором
реализован выходной эмиттерный повторитель. Построение
третьего усилительного каскада таково, что транзисторы Т7,
Т8 представляют собой как бы управляемые элементы входного
делителя эмиттерного повторителя. Управление транзистором
Т7 производится по цепи базы выходным сигналом второго
каскада, управление транзистором Т8- по цепи эмиттера на-
пряжением на резисторе R12, создаваемым от протекания че-
рез этот резистор тока эмиттера транзистора 79. Транзистор
Т6 входит в контур положительной обратной связи, позво-
ляющей обеспечить высокий коэффициент усиления третьего
каскада. Совместное действие транзисторов Т7, и Т8 направле-
но либо на увеличение, либо на уменьшение (в зависимости
от сигнала на входе транзистора Т 6 ) входного напряжения
эмиттерного повторителя, т. е. потенциала базы транзистора
Т9 относительно шины —Ек2. Повышение напряжения на базе
транзистора T9 обусловливается уменьшением сопротивления
постоянному току транзистора T7,а также увеличением со-
противления транзистора Т8, и наоборот.
    Рассмотрим характер изменения выходного напряжения
ОУ при изменении сигнала на базе транзистора Т 7.
 При входных напряжениях ОУ U вх . в =U вх.и. =0 напря-
жение на коллекторе транзистора Тв таково, что близкие по
величине потенциалы базы и эмиттера транзистора Тд относи-
тельно шины -ЕК2 равны +Е к и напряжение на выходе ОУ
U ВЫх = 0.
    Если под действием входных сигналов (показанных на
рис.9.2. в виде полуволн) напряжение на коллекторе транзи-
стора Т6 увеличится (положительная полуволна), то увели-
чатся также токи Iб, Iэ транзистора Т7. Это приводит к увели-
чению токов Iб, Iэ транзистора T9. Напряжение на резисторе
R12 повышается, что уменьшает напряжение Uбэ и токи Iб, Iк
транзистора T8. Ввиду возрастания тока /э транзистора Т 7, и
уменьшения тока Iк транзистора Т 8 потенциалы базы и
эмиттера транзистора Т9 относительно шины — ЕК2 становятся
больше +Eк. На выходе усилителя воздается напряжение по-
72

Страницы