Микропроцессорные системы и программное обеспечение в средствах связи. Гребешков А.Ю. - 8 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУТИ | Самара

Составители: 

Рубрика: 

Микропроцессорные системы и программное обеспечение в средствах связи
8
сорной техники является единственно возможным способом реализо-
вать необходимые функции [6].
На физическом уровне компоненты процессора могут изготов-
ляться отдельно, а затем устанавливаться на основание микросхемы в
процессе ее изготовления. Основой современной элементной базы для
изготовления МПр является твердотельный планарный транзистор на
кремниевой подложке, изготавливаемый по диффузионной технологии.
Полупроводниковая структура формируется
на поверхности кристалла
кремния в 15..25 слоях из поликремния, металла, диэлектрика. Техно-
логический процесс изготовления такого транзистора представляет со-
бой поэтапную (по областям транзистора) диффузию примесей в кри-
сталлическую структуру кремниевой подложки при температурах по-
рядка +800°C с очень жесткими ограничениями на градиент температу-
ры. Для получения приемлемых характеристик градиент должен иметь
порядок
± 0,1°/час [25]. В настоящее время существуют МПр, выпол-
ненные в виде единичных кристаллов большой площади (до 300… 400
мм
2
) или в виде сборки из нескольких больших (сверхбольших) инте-
гральных схем (СБИС); общая тенденция – увеличение площади кри-
сталлов СБИС в среднем на 10%..15% в год. Физический размер кри-
сталла микропроцессора (чипа) определенным образом связан с тех-
нологической или проектной нормой производства т.е. со значением
максимального смещения границы топологического элемента при
изго-
товлении транзистора. Например, площадь кристалла равна 20-140 мм
2
при технологической норме 90 нм, а при технологической норме 65 нм
площадь кристалла составляет 80-100 мм
2
. Расстояние между транзи-
сторами на кристалле МПр сейчас составляет одну десятитысячную
толщины человеческого волоса. По точности изготовления современ-
ные транзисторы равносильны тому, чтобы провести автомобиль по
прямой длиной в 650 км с отклонением от оси менее 2,5 см. (все дан-
ные компании Intel). 
  Микропроцессорные системы и программное обеспечение в средствах связи
сорной техники является единственно возможным способом реализо-
вать необходимые функции [6].
     На физическом уровне компоненты процессора могут изготов-
ляться отдельно, а затем устанавливаться на основание микросхемы в
процессе ее изготовления. Основой современной элементной базы для
изготовления МПр является твердотельный планарный транзистор на
кремниевой подложке, изготавливаемый по диффузионной технологии.
Полупроводниковая структура формируется на поверхности кристалла
кремния в 15..25 слоях из поликремния, металла, диэлектрика. Техно-
логический процесс изготовления такого транзистора представляет со-
бой поэтапную (по областям транзистора) диффузию примесей в кри-
сталлическую структуру кремниевой подложки при температурах по-
рядка +800°C с очень жесткими ограничениями на градиент температу-
ры. Для получения приемлемых характеристик градиент должен иметь
порядок ± 0,1°/час [25]. В настоящее время существуют МПр, выпол-
ненные в виде единичных кристаллов большой площади (до 300… 400
мм2) или в виде сборки из нескольких больших (сверхбольших) инте-
гральных схем (СБИС); общая тенденция – увеличение площади кри-
сталлов СБИС в среднем на 10%..15% в год. Физический размер кри-
сталла микропроцессора (чипа) определенным образом связан с тех-
нологической или проектной нормой производства т.е. со значением
максимального смещения границы топологического элемента при изго-
товлении транзистора. Например, площадь кристалла равна 20-140 мм2
при технологической норме 90 нм, а при технологической норме 65 нм
площадь кристалла составляет 80-100 мм2. Расстояние между транзи-
сторами на кристалле МПр сейчас составляет одну десятитысячную
толщины человеческого волоса. По точности изготовления современ-
ные транзисторы равносильны тому, чтобы провести автомобиль по
прямой длиной в 650 км с отклонением от оси менее 2,5 см. (все дан-
ные компании Intel).

                                    8

Страницы