ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
7
,
0
ε
ε
ε
′
=
,
0
µ
µ
µ
′
=
(4)
а мнимые части – тангенсами углов диэлектрических (tgε) и магнитных (tgµ)
потерь
tgε=
ε
′′
/
ε
′
; tgµ=
µ
′′
/
µ
′
. (5)
Параметры
ε и µ, tgε и tgµ, определяемые формулами (4) и (5), величины
безразмерные и используются для оценки пригодности материалов в технике
СВЧ.
Переходя к обычно используемой на практике относительной диэлектри-
ческой проницаемости, можно записать
()
ε
δε
ε
ε
ε
ε
ε
ε
jtgj −=
′
′′
−
′
=
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
11
00
&
, (6)
где
tgδ
ε
– тангенс угла диэлектрических потерь.
Величины
ε’ и ε’’ характеризуют соответственно энергию, накапливае-
мую в диэлектрике и потери в нем.
Для достижения качественных характеристик интегральных устройств
при их производстве необходимо контролировать диэлектрическую проницае-
мость
ε, а также тангенсы углов потерь tgε и tgµ.
Влияние
tgε и tgµ на потери в устройстве иллюстрируется зависимостью
коэффициента затухания в подложке
),(
3,27
µε
λ
α
tgtg
В
Д
+=
(7)
где
α
Д
– коэффициент затухания в подложке;
λ
В
– длина волны в линии.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- …
- следующая ›
- последняя »
