Оптоэлектроника и волоконная оптика. Гуртов В.А. - 129 стр.

    В настоящее время находится в разработке вариант камеры с улучшенны-
ми характеристиками.

Контрольные вопросы
5.1 Что такое удельная обнаружительная способность фотоприемника?
5.2. В каких типах фотоприемников при регистрации оптического излучения
используются основные носители?
5.3. В чем различие в конструкции и характеристик фотодиодов с p-n переходом,
с pin структурой, с лавинным умножением?
5.4. Как можно реализовать внутреннее усиление в фотоприемниках?
5.5. В чем заключается принцип работы динамических фотоприемников на
основе МДП структур?
5.6. Как регистрируется и передается информация в матрицах ФПЗС?

Задачи
    5.1. Идеальный фотодиод (т.е. с квантовым выходом равным 1) освещает-
ся излучением мощностью P=10 мВт при длине волны 0.8 мкм. Рассчитать ток
и напряжение на выходе прибора, когда детектор используется в режиме фо-
тотока и фото-э.д.с. соответственно. Ток утечки при обратном смещении I0=10
нА, рабочая температура Т=300 К.
    5.2. Фотодиод на основе p-n перехода имеет квантовый выход 50% на дли-
не волны 0.9 мкм. Рассчитать чувствительность R, поглощенную оптическую
мощность P (Ip=1 мкА) и число фотонов, поглощенных в секунду на этой дли-
не волны rp.
    5.3. Лавинный фотодиод с коэффициентом умножения М=20 работает на
длине волны λ=1.5 мкм. Рассчитать квантовый выход и выходной фототок
прибора, если его чувствительность R на этой длине волны равна 0.6 А/Вт при
потоке 1010 фотонов/с.
    5.4. Кремниевый лавинный фотодиод имеет коэффициент умножения
М=20 на длине волны 0.82 мкм при этом квантовый выход 50% и темновой ток
1 нА. Определить число падающих фотонов rp на этой длине волны в секунду,
обеспечивающее выходной ток прибор (после умножения), больший уровня
темнового тока.




                                       129