Оптоэлектроника и волоконная оптика. Гуртов В.А. - 61 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПетрГУ | Петрозаводск

Составители: 

Рубрика: 

61
стехиометрии полупроводниковых соединений.
4
0,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0
0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1 1,2 1,3
3 2,5 1,5 1,2 12
hν, эВ
λ, мкм
hν, эВ
УФ ИК
Фиолетовый
Синий
Голубо
й
Зеленый
Желтый
Оранжевый
Красный
P, отн.ед.
In
0,1
Ga
0,9
N
In
0,2
Ga
0,8
N
In
0,22
Ga
0,78
N
GaN (Zn)
GaP (N)
GaP:(Zn,O)
GaAs
0,15
P
0,85
(N)
GaAs
0,35
P
0,65
(N)
GaAs
0,6
P
0,4
Ga
0,85
Al
0,15
As
Ga
0,9
Al
0,1
As
GaAs:(Zn)
GaAs:(Si)
Ga
0,17
In
0,83
As
0,39
P
0,66
Ga
0,3
In
0,7
As
Ga
0,28
In
0,72
As
0,6
P
0,4
Рис. 4.5. Спектральные характеристики светодиодов, изготовленных из различных
полупроводниковых материалов [84]
Конструктивно в светодиодах используют полупроводниковые структуры
с плоской геометрией, изготовленные по планарной технологии (см. рис.
4.6). Обычно прямозонные светодиоды (красное излучение) формируются
на подложках GaAs (а), тогда как непрямозонные (оранжевое, желтое и
зеленое излучения) — на подложках GaP (б). При использовании подложки
GaAs на нее наращивается переходный слой GaAs
(1-x)
P
x
переменного состава
с х, изменяющимся в пределах 0–0,4, а затем слой GaAs
(1-x)
P
x
с постоянным
составом.
стехиометрии полупроводниковых соединений.




                                                        GaAs0,15P0,85 (N)
                                                                                              GaAs0,35P0,65 (N)




                                                                                                                                                                                                           Ga0,17In0,83As0,39P0,66
                                                                                                                            GaP:(Zn,O)
                                                         In0,22Ga0,78N




                                                                                                                                                                           GaAs:(Zn)
                                                                                                                                         Ga0,85Al0,15As




                                                                                                                                                                                                                                                        Ga0,28In0,72As0,6P0,4
                                        In0,2Ga0,8N




                                                                                                                                                            Ga0,9Al0,1As
                                                                                                  GaAs0,6P0,4
                            GaN (Zn)




                                                                                                                                                                                                                                         Ga0,3In0,7As
                                                                GaP (N)




                                                                                                                                                                                         GaAs:(Si)
 P, отн.ед.
              In0,1Ga0,9N




 1,0

 0,8

 0,6

 0,4

 0,2
   0
       0,2    0,3                      0,4                  0,5                        0,6                  0,7                          0,8                    0,9         1,0                      1,1                    1,2              1,3        λ, мкм
                       4                   3                     2,5                                 2                                                1,5                              1,2                                           1
    hν, эВ                                                                                                                                                                                                                                              hν, эВ
                                           Фиолетовый




                                                                                              Оранжевый




Рис. 4.5. Спектральные характеристики светодиодов, изготовленных из различных
                                                                           Зеленый




                                                                                                                  Красный
                                                                 Голубой



                                                                                     Желтый




полупроводниковых
             УФ     материалов [84]                        ИК
                                                         Синий




     Конструктивно в светодиодах используют полупроводниковые структуры
с плоской геометрией, изготовленные по планарной технологии (см. рис.
4.6). Обычно прямозонные светодиоды (красное излучение) формируются
на подложках GaAs (а), тогда как непрямозонные (оранжевое, желтое и
зеленое излучения) — на подложках GaP (б). При использовании подложки
GaAs на нее наращивается переходный слой GaAs(1-x)Px переменного состава
с х, изменяющимся в пределах 0–0,4, а затем слой GaAs(1-x)Px с постоянным
составом.




                                                                                                            61

Страницы