Составители:
Рубрика:
11
Здесь
D
N
′
– поверхностная концентрация примеси.
8.6. Источник тока отрицательной полярности с токовым зеркалом Уилсона
для операционного усилителя показан на рисунке ниже.
Все транзисторы в ИМС – идентичные. Коэффициент усиления (средний)
β = 100 для n-p-n транзистора и β = 50 p-n-p транзистора. Напряжение пита-
ния
П
-
V
= -10 В и
П
+
V
= 10 В. Напряжение на прямосмещенном переходе ба-
за–эмиттер V
бэ
= 0,7 В. Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (минималь-
ное) – 50 В.
Покажите, что а)
21
132
112
1II
βββ
⎛⎞
=⋅+ + −
⎜⎟
⎝⎠
, пренебрегая членами типа
2
1
β
,
б) найдите R
1
при I
1
= 1,0 мА, в) найдите диапазон линейного изменения на-
пряжения, г) найдите выходное сопротивление источника тока r
0
, д) найдите
процентное изменение I
2
при изменении U
к2
на 1 В.
8.7. На рисунке, приведенном ниже, представлены логические элементы и
состояние их входов. Что будет наблюдаться на выходах данных элементов?
Здесь N D′ – поверхностная концентрация примеси. 8.6. Источник тока отрицательной полярности с токовым зеркалом Уилсона для операционного усилителя показан на рисунке ниже. Все транзисторы в ИМС – идентичные. Коэффициент усиления (средний) β = 100 для n-p-n транзистора и β = 50 p-n-p транзистора. Напряжение пита- ния VП- = -10 В и VП+ = 10 В. Напряжение на прямосмещенном переходе ба- за–эмиттер Vбэ = 0,7 В. Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (минималь- ное) – 50 В. ⎛ 1 1 2 ⎞ 1 Покажите, что а) I 2 = I1 ⋅ ⎜ 1 + + − ⎟ , пренебрегая членами типа 2 , ⎝ β1 β3 β2 ⎠ β б) найдите R1 при I1 = 1,0 мА, в) найдите диапазон линейного изменения на- пряжения, г) найдите выходное сопротивление источника тока r0, д) найдите процентное изменение I2 при изменении Uк2 на 1 В. 8.7. На рисунке, приведенном ниже, представлены логические элементы и состояние их входов. Что будет наблюдаться на выходах данных элементов? 11
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »