Сборник задач по микрооптоэлектронике. Гуртов В.А - 2 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПетрГУ | Петрозаводск

Составители: 

Рубрика: 

2
Оглавление
1. Статистика электронов и дырок в полупроводниках .........................................3
2. Диффузия и дрейф. Генерация и рекомбинация ..................................................4
3. Барьеры Шоттки и p-n переходы. Диоды ..............................................................5
4. Биполярные транзисторы.........................................................................................6
5. МДП-структуры..........................................................................................................7
6. Полевые транзисторы................................................................................................8
7. Оптоэлектроника........................................................................................................9
8. Интегральные микросхемы....................................................................................10
СПРАВОЧНЫЕ ТАБЛИЦЫ ..................................................................... 14
Физические параметры важнейших полупроводников ........................................14
Работа выхода из металлов (эВ).................................................................................14
Свойства диэлектриков...............................................................................................14
ОТВЕТЫ И РЕШЕНИЯ............................................................................. 15
1. Статистика электронов и дырок в полупроводниках .......................................15
2. Диффузия и дрейф. Генерация и рекомбинация ................................................18
3. Барьеры Шоттки и p-n переходы. Диоды ............................................................20
4. Биполярные транзисторы.......................................................................................23
5. МДП–структуры .......................................................................................................24
6. Полевые транзисторы..............................................................................................29
7. Оптоэлектроника......................................................................................................30
8. Интегральные микросхемы....................................................................................31
Литература.....................................................................................................................36
Оглавление
    1. Статистика электронов и дырок в полупроводниках .........................................3

    2. Диффузия и дрейф. Генерация и рекомбинация ..................................................4

    3. Барьеры Шоттки и p-n переходы. Диоды ..............................................................5

    4. Биполярные транзисторы.........................................................................................6

    5. МДП-структуры..........................................................................................................7

    6. Полевые транзисторы................................................................................................8

    7. Оптоэлектроника........................................................................................................9

    8. Интегральные микросхемы....................................................................................10


СПРАВОЧНЫЕ ТАБЛИЦЫ ..................................................................... 14

    Физические параметры важнейших полупроводников ........................................14

    Работа выхода из металлов (эВ).................................................................................14

    Свойства диэлектриков...............................................................................................14


ОТВЕТЫ И РЕШЕНИЯ............................................................................. 15

    1. Статистика электронов и дырок в полупроводниках .......................................15

    2. Диффузия и дрейф. Генерация и рекомбинация ................................................18

    3. Барьеры Шоттки и p-n переходы. Диоды ............................................................20

    4. Биполярные транзисторы.......................................................................................23

    5. МДП–структуры .......................................................................................................24

    6. Полевые транзисторы..............................................................................................29

    7. Оптоэлектроника......................................................................................................30

    8. Интегральные микросхемы....................................................................................31

    Литература.....................................................................................................................36



2

Страницы