Сборник задач по микрооптоэлектронике. Гуртов В.А - 32 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПетрГУ | Петрозаводск

Составители: 

Рубрика: 

32
6) Повторение операции 3 для подготовки базовой области;
7) Диффузия бора в базовую область;
8-11) Аналогично повторение операций для подготовки областей эмиттера
и коллектора;
12) Повторение операции 3 для создания окон под контактные площадки;
13) Металлизация всей поверхности вакуумным распылением алюминия;
14) Повторение операции 3 для создания межсоединений. Удаление излиш-
ков алюминия;
15) Контроль функционирования;
16) Помещение
в корпус;
17) Выходной контроль.
8.2. Толщину подзатворного диэлектрика можем найти как
66
ox
10
10 1,25 10 см
8
U
d
E
−
==⋅ = ⋅
, а емкость МОП-конденсатора найдем по
формуле плоского конденсатора: C
ox
= 2,7·10
-7
Ф/см
2
. Емкость p-n перехода C
j
сосчитаем по (3.10): W = 8,9·10
-5
см, C
j
= 1,16·10
-8
Ф/см
2
,
mos
j
23,4
C
C
=
.
8.3. Число квадратов в рисунке резистора равно
4
L
W
=
. Поверхностное со-
противление рассчитаем как
s
1000 Ом
250
4 квад
R ==
, тогда усредненное
удельное сопротивление
j
4
ср sj
ср as
250 6 10 0,5 Ом см
x
Rx
qN
ρ
µ
−
==⋅=⋅⋅=⋅
,
где N
as
– поверхностная концентрация примеси.
8.4. Емкость
11
ox 0
ox
1, 7 10 Ф
S
C
d
εε
−
==⋅
, сопротивление
2 кОм
L
R
Wd
ρ
==
,
34 нс
RC =
.
8.5. Сопротивление такого резистора можно представить как параллельную
цепочку двух резисторов R
1
и R
2
:
12
111
R
RR
=+
. Известно, что
DD
1
qN qNx
R
µµ
′
==
.
Тогда R
1
= 223 Ом, R
2
= 428 и R = 147 Ом.
8.6. Источник тока с токовым зеркалом Уилсона для операционного усилите-
ля.
а) Запишем для трех узлов соотношения токов в соответствии с рисунком в
виде системы уравнений: 
  6) Повторение операции 3 для подготовки базовой области;
  7) Диффузия бора в базовую область;
  8-11) Аналогично повторение операций для подготовки областей эмиттера
и коллектора;
  12) Повторение операции 3 для создания окон под контактные площадки;
  13) Металлизация всей поверхности вакуумным распылением алюминия;
  14) Повторение операции 3 для создания межсоединений. Удаление излиш-
ков алюминия;
  15) Контроль функционирования;
  16) Помещение в корпус;
  17) Выходной контроль.
8.2. Толщину     подзатворного     диэлектрика     можем     найти   как
         U 10 6
d ox =    = ⋅10 = 1, 25 ⋅10−6 см , а емкость МОП-конденсатора найдем по
         E 8
формуле плоского конденсатора: Cox = 2,7·10-7 Ф/см2. Емкость p-n перехода Cj
                                                              Cmos
сосчитаем по (3.10): W = 8,9·10-5 см, Cj = 1,16·10-8 Ф/см2,        = 23, 4 .
                                                               Cj
                                                      L
8.3. Число квадратов в рисунке резистора равно           = 4 . Поверхностное со-
                                                      W
                                    1000              Ом
противление рассчитаем как Rs =             = 250          , тогда усредненное
                                        4            квад
                                 xj
удельное сопротивление ρ ср =             = Rs ⋅ x j = 250 ⋅ 6 ⋅10−4 = 0,5 Ом ⋅ см ,
                              q µср N as
где Nas – поверхностная концентрация примеси.
                     ε oxε 0 S                                         ρL
8.4. Емкость    C=               = 1, 7 ⋅10−11 Ф , сопротивление R =        = 2 кОм ,
                       d ox                                            Wd
RC = 34 нс .
8.5. Сопротивление такого резистора можно представить как параллельную
                                        1 1  1
цепочку двух резисторов R1 и R2:         = +    . Известно, что
                                        R R1 R2
                                  1
                                    = qµ N D′ = q µ N D x .
                                  R
Тогда R1 = 223 Ом, R2 = 428 и R = 147 Ом.
8.6. Источник тока с токовым зеркалом Уилсона для операционного усилите-
ля.
а) Запишем для трех узлов соотношения токов в соответствии с рисунком в
виде системы уравнений:


32

Страницы