Основы диэлектрической спектроскопии. Гусев Ю.А. - 6 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КФУ | Казань

Составители: 

Рубрика: 

6
Принятые обозначения
С - электроемкость
С
1
, С
2
- вклад первого и второго релаксационных процессов в диэлектрической
релаксации
с - скорость света
D - электростатическая индукция (смещение)
E - напряженность среднемакроскопического электрического поля в диэлектрике
E
0
- напряженность внешнего электрического поля
e - элементарный электрический заряд
F - напряженность локального электрического поля
∆F - изменение свободной энергии активации диэлектрической релаксации
∆F
1
, ∆F
2
, ∆F
3
- изменение свободной энергии активации диэлектрической релаксации
для первой, второй и третьей областей поглощения
f
m
- предельная частота, соответствующая максимуму поглощения
f
m1
, f
m2
, f
m3
- предельная частота, соответствующая первой, второй и третьей областям
поглощения
G -проводимость
CAS - Chemical Abstracts Servis (регистрационный номер реферативного журнала
Американского химического общества)
g - структурный фактор Кирквуда
H - напряженность магнитного поля
∆H - теплота активации диэлектрической релаксации
∆H
1
, ∆H
2
, ∆H
3
- теплота активации диэлектрической релаксации для первой, второй и
третьей областей поглощения
h - постоянная Планка
I - ток
k - постоянная Больцмана
к - коэффициент поглощения (α/β)
L - индуктивность
M - молярная масса
m - магнитный момент
N - число частиц в единице объема
N
A
- число Авогадро
n - показатель преломления
n*=n(1-jk) - комплексный показатель преломления
P -поляризация (электрический дипольный момент единицы объема)
P
e
- электронная поляризация
P
a
- атомная поляризация
P
o
- ориентационная поляризация
P
M
- молекулярная поляризация
P
R
- молекулярная рефракция
Q - добротность
Q - электрический заряд
R - газовая постоянная
r - коэффициент отражения
∆S - энтропия активации диэлектрической релаксации 
                                  Принятые обозначения

С - электроемкость
С1, С2 - вклад первого и второго релаксационных процессов в диэлектрической
релаксации
с - скорость света
D - электростатическая индукция (смещение)
E - напряженность среднемакроскопического электрического поля в диэлектрике
E0 - напряженность внешнего электрического поля
e - элементарный электрический заряд
F - напряженность локального электрического поля
∆F - изменение свободной энергии активации диэлектрической релаксации
∆F1, ∆F2, ∆F3 - изменение свободной энергии активации диэлектрической релаксации
для первой, второй и третьей областей поглощения
fm - предельная частота, соответствующая максимуму поглощения
fm1 , fm2 , fm3 - предельная частота, соответствующая первой, второй и третьей областям
поглощения
G -проводимость
CAS - Chemical Abstracts Servis (регистрационный номер реферативного журнала
Американского химического общества)
g - структурный фактор Кирквуда
H - напряженность магнитного поля
∆H - теплота активации диэлектрической релаксации
∆H1, ∆H2, ∆H3 - теплота активации диэлектрической релаксации для первой, второй и
третьей областей поглощения
h - постоянная Планка
I - ток
k - постоянная Больцмана
к - коэффициент поглощения (α/β)
L - индуктивность
M - молярная масса
m - магнитный момент
N - число частиц в единице объема
NA - число Авогадро
n - показатель преломления
n*=n(1-jk) - комплексный показатель преломления
P -поляризация (электрический дипольный момент единицы объема)
Pe - электронная поляризация
Pa - атомная поляризация
Po - ориентационная поляризация
PM - молекулярная поляризация
PR - молекулярная рефракция
Q - добротность
Q - электрический заряд
R - газовая постоянная
r - коэффициент отражения
∆S - энтропия активации диэлектрической релаксации

                                                                                      6

Страницы