ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
структуры и её исчезновения при переходе в насыщенное состояние с
противоположным направлением вектора
s
J
r
. Этот процесс можно рассматривать
как фазовый переход первого рода.
Где и почему возникают зародыши? Причина их появления кроется в
размагничивающих полях, существующих в местах скачкообразного изменения
вектора
вблизи дефектов. При снижении насыщающего поля возникает
нестабильность и неоднородность намагниченности в однодоменном образце, что
приводит к неоднородному вращению намагниченности в некоторых малых
объёмах и возникновению зародышей обратной фазы. В критическом поле H
s
J
r
n
стенки зародыша необратимо смещаются, объём необратимо увеличивается и
образуется домен обратной намагниченности. Возникновение и формирование
зародышей зависит от формы, размеров, характера анизотропии кристалла и
ориентации внешнего магнитного поля. В случае, внешнего поля вдоль оси
магнитной анизотропии и перпендикулярного поверхности пленки, необратимое
вращение происходит в местах, где имеются значительные неоднородности
величины намагниченности
, константы анизотропии K, постоянной обменного
взаимодействия А. Такими местами являются переходные слои пленка – подложка,
пленка – воздух, дефекты, край пленки. Сочетание размагничивающих полей и
неоднородностей параметров и приводит к образованию зародышей в критических
полях H
J
n
. Необратимость процесса образования и исчезновения доменной
структуры вызывает магнитный гистерезис. Однако высокая магнитостатическая
жесткость доменных стенок (механическим аналогом является сильно натянутая
упругая проволока) позволяет стенкам в магнитоупорядоченных структурах легко
преодолевать объёмные дефекты, что приводит к малой величине коэрцитивности
H
c
, которая в основном обусловлена закреплением стенок на поверхностях пленки.
ЭКСПЕРИМЕНТ
Исследуемые образцы и метод наблюдения.
Доменная структура и петли гистерезиса исследуются на прозрачных
13
структуры и её исчезновения при переходе в насыщенное состояние с r противоположным направлением вектора J s . Этот процесс можно рассматривать как фазовый переход первого рода. Где и почему возникают зародыши? Причина их появления кроется в размагничивающих полях, существующих в местах скачкообразного изменения r вектора J s вблизи дефектов. При снижении насыщающего поля возникает нестабильность и неоднородность намагниченности в однодоменном образце, что приводит к неоднородному вращению намагниченности в некоторых малых объёмах и возникновению зародышей обратной фазы. В критическом поле Hn стенки зародыша необратимо смещаются, объём необратимо увеличивается и образуется домен обратной намагниченности. Возникновение и формирование зародышей зависит от формы, размеров, характера анизотропии кристалла и ориентации внешнего магнитного поля. В случае, внешнего поля вдоль оси магнитной анизотропии и перпендикулярного поверхности пленки, необратимое вращение происходит в местах, где имеются значительные неоднородности величины намагниченности J , константы анизотропии K, постоянной обменного взаимодействия А. Такими местами являются переходные слои пленка – подложка, пленка – воздух, дефекты, край пленки. Сочетание размагничивающих полей и неоднородностей параметров и приводит к образованию зародышей в критических полях Hn. Необратимость процесса образования и исчезновения доменной структуры вызывает магнитный гистерезис. Однако высокая магнитостатическая жесткость доменных стенок (механическим аналогом является сильно натянутая упругая проволока) позволяет стенкам в магнитоупорядоченных структурах легко преодолевать объёмные дефекты, что приводит к малой величине коэрцитивности Hc, которая в основном обусловлена закреплением стенок на поверхностях пленки. ЭКСПЕРИМЕНТ Исследуемые образцы и метод наблюдения. Доменная структура и петли гистерезиса исследуются на прозрачных 13
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- …
- следующая ›
- последняя »