Изучение архитектуры и основ программирования микроконтроллеров. Индришенок В.И - 9 стр.

UptoLike

-9-
"последний вошел - первый вышел" или Last In First Out (LIFO).
При этом в процессорах с Гарвардской архитектурой операции со
стеком могут производиться одновременно с выполнением дру-
гих действий.
Для увеличения объема хранения данных к МК может быть
подключена внешняя память. Имеется два варианта подключе-
ния: 1) как к микроконтроллеру; 2) как к устройству вво-
да/вывода.
Память
программ предназначена для хранения кодов ко-
манд программы и констант и представляет собой электрически
перепрограммируемое постоянное запоминающее устройство
FlashROM (выполненное по специальной полупроводниковой
технологии). Объем памяти программ в МК AT90S8515– 8 Кбайт.
Ячейка памяти содержит 16 двоичных разрядов. При чтении ко-
дов команд адрес в ПЗУ программ поступает из счетчика команд.
При чтении констант
адрес поступает из спаренного регистра Z,
при этом он должен содержать адрес байта. Отличительной осо-
бенностью МК является то, что для большинства из них реализо-
вана возможность перепрограммирования в аппаратуре, где они
должны работать (функция Downloading, перепрограммирование
в системе или In-System Programming).
Память данных включает в себя регистровый файл РОН,
область
регистров ввода/вывода и оперативное запоминающее
устройство статического типа (Static Random Access Memory -
SRAM). Оперативное запоминающее устройство предназначено
для временного хранения данных, получаемых в ходе работы
программы. Адреса SRAM начинаются с $60. Объем встроенной
в МК SRAM обычно ограничен (512 байт в AT90S8515). Ячейка
памяти содержит 8 разрядов. Единственным типом операций яв-
ляется обмен данными между SRAM и РОНзагрузка (
load)
байта в РОН и сохранение (store) байта в SRAM. Адрес байта при
обращении к памяти данных может быть указан в коде команды
(прямая адресация) или предварительно записан в пару регистров
X, Y или Z (косвенная адресация).
Память данных может быть расширена до 64 Кбайт при
подключении внешних микросхем статической памяти к
портам
МК. При этом имеются возможности работы с внешней памятью
                             -9-

"последний вошел - первый вышел" или Last In First Out (LIFO).
При этом в процессорах с Гарвардской архитектурой операции со
стеком могут производиться одновременно с выполнением дру-
гих действий.
     Для увеличения объема хранения данных к МК может быть
подключена внешняя память. Имеется два варианта подключе-
ния: 1) как к микроконтроллеру; 2) как к устройству вво-
да/вывода.
     Память программ предназначена для хранения кодов ко-
манд программы и констант и представляет собой электрически
перепрограммируемое постоянное запоминающее устройство –
FlashROM (выполненное по специальной полупроводниковой
технологии). Объем памяти программ в МК AT90S8515– 8 Кбайт.
Ячейка памяти содержит 16 двоичных разрядов. При чтении ко-
дов команд адрес в ПЗУ программ поступает из счетчика команд.
При чтении констант адрес поступает из спаренного регистра Z,
при этом он должен содержать адрес байта. Отличительной осо-
бенностью МК является то, что для большинства из них реализо-
вана возможность перепрограммирования в аппаратуре, где они
должны работать (функция Downloading, перепрограммирование
в системе или In-System Programming).
     Память данных включает в себя регистровый файл РОН,
область регистров ввода/вывода и оперативное запоминающее
устройство статического типа (Static Random Access Memory -
SRAM). Оперативное запоминающее устройство предназначено
для временного хранения данных, получаемых в ходе работы
программы. Адреса SRAM начинаются с $60. Объем встроенной
в МК SRAM обычно ограничен (512 байт в AT90S8515). Ячейка
памяти содержит 8 разрядов. Единственным типом операций яв-
ляется обмен данными между SRAM и РОН – загрузка (load)
байта в РОН и сохранение (store) байта в SRAM. Адрес байта при
обращении к памяти данных может быть указан в коде команды
(прямая адресация) или предварительно записан в пару регистров
X, Y или Z (косвенная адресация).
     Память данных может быть расширена до 64 Кбайт при
подключении внешних микросхем статической памяти к портам
МК. При этом имеются возможности работы с внешней памятью