Источники и приемники излучения - 67 стр.

UptoLike

67
3. Расчет относительной спектральной характеристики чув-
ствительности фотодиодов.
3.1. Рассчитать среднее значение напряжения фотосигнала для
каждой длины волны в табл. 11 и записать результаты вычислений в
таблицу.
3.2. Рассчитать относительное значение напряжения фотосигна-
ла для каждой длины волны в табл. 11
U
эт.отн
(λ) = U
эт.ср
(λ) / U
эт.ср.max
и записать результаты вычислений в таблицу.
3.3. Занести в табл. 11 значения относительной спектральной
чувствительности эталонного ПОИ для соответствующих длин волн,
воспользовавшись графиком на рис. 18.
3.4. Рассчитать для каждой длины волны относительное значе-
ние спектральной плотности потока излучения (СППИ), выходящего
из выходной щели монохроматора и падающего на ФЧЭ исследуемых
ПОИ. СППИ определяется
спектром излучения источника и спек-
тральным коэффициентом пропускания монохроматора с учетом
относительной спектральной характеристики чувствительности
эталонного ПОИ:
ϕ
λ
(λ) = [U
эт.отн
(λ)
/ S
λ.отн.эт
(λ)] / (U
эт.отн
/ S
λ.отн.эт
)
max
.
Результаты вычислений записать в табл. 11. Построить график
ϕ
λ
(λ).
3.5. Рассчитать среднее значение напряжения фотосигнала для
каждой длины волны в табл. 12 и записать результаты вычислений в
таблицу.
3.6. Рассчитать относительное значение напряжения фотосигна-
ла для каждой длины волны в табл. 12 и записать результаты вычис-
лений в таблицу.
3.7. Рассчитать для каждой длины волны относительное значе-
ние спектральной чувствительности исследуемого фотодиода
:
S
λ.отн
(λ) = [U
отн
(λ) / ϕ
λ
(λ)] / (U
отн
/ ϕ
λ
)
max
.
Результаты вычислений записать в табл. 12. При расчете S
λ.отн
(λ)
для кремниевого фотодиода значения ϕ
λ
снимаются с графика ϕ
λ
(λ).
Содержание отчета
1. Теоретическая часть (краткие сведения из теории спектраль-
ной характеристики чувствительности ФЭПП).
2. Схема лабораторной установки и ее описание.
3. Таблицы с результатами измерений и вычислений.