Исследование характеристик биполярного транзистора. - 14 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МАИ | Москва

Рубрика: 

Приложение 2
Методика расчёта h - параметров транзистора по его статиче-
ским характеристикам.
Схема с общим эмиттером
Определение h
11Э
:
Кривая U
кэ
= 0,1 В соответствует условию ∆U
вых
=0.
h
11Э
=∆U
вх
/∆I
вх
=∆U
бэ
/∆I
б
=r
вх
.
r
вх
- дифференциальное входное сопротивление.
Определение h
12Э
:
h
12Э
=∆U
вх
/∆U
вых
=∆U
бэ
/∆U
кэ
=КОС;
14
                            Приложение 2
     Методика расчёта h - параметров транзистора по его статиче-
ским характеристикам.
                         Схема с общим эмиттером




     Определение h11Э:




     Кривая Uкэ = 0,1 В соответствует условию ∆Uвых=0.
                      h11Э=∆Uвх/∆Iвх=∆Uбэ/∆Iб=rвх.
rвх - дифференциальное входное сопротивление.


     Определение h12Э:




                   h12Э=∆Uвх/∆Uвых=∆Uбэ/∆Uкэ=КОС;

                                     14

Страницы