Исследование характеристик биполярного транзистора. - 2 стр.

     В биполярном транзисторе физические процессы определяются дви-
жением носителей заряда обоих знаков, что и отражено в его названии. На
рисунке 1 приведены сечение (а), схематическое (б) и схемотехническое
изображение биполярного транзистора.




      Б         Э       n   Б
                        p
                                n

                                n+

                    К
                 а)                                    б)
     Рисунок 1. Структура (а), схематическое (б) и схемотехническое
               изображение (в) биполярного транзистора.


     Биполярный транзистор содержит три полупроводниковые области с
чередующимися типами проводимости (p – n – p или n – p – n), которые на-
зываются соответственно эмиттером, базой и коллектором. Эти области
разделены двумя взаимодействующими между собой p-n переходами:
эмиттерным и коллекторным. Взаимодействие между переходами обеспе-
чивается благодаря тому, что расстояние между ними (толщина базы) мно-
го меньше диффузионной длины неосновных носителей в базе. К полупро-
водниковым областям созданы омические контакты и внешние выводы.
Принцип действия транзисторов типа p – n – p и n – p – n одинаков. В ра-
боте рассматривают только транзисторы типа n – p – n, исследования тран-
зисторов p – n – p типа проводятся аналогично, за исключением того, что
полярность рабочих напряжений и направления токов противоположны.
     Возможны три схемы подключения транзистора: с общим эмитте-
ром, общей базой и общим коллектором. В работе исследуются статиче-



                                       2