Исследование характеристик фотодиодов и фототранзисторов. - 9 стр.

при UОБР = UОБР1 (см. рисунок 2) , где I ф - фототок через фотодиод, совпа-
дающий по направлению с I ОБР (см. рисунок 1).
      9. Для выбранной рабочей точки на световой характеристике
рассчитайте токовую чувствительность фотодиода S=ΔI ф /ΔФ, (мкА/лм).
      На семействе ВАХ фотогальваническому режиму работы фотодиода
соответствует область "прямое напряжение - обратный ток" (IV квад-
рант).
      10. Для фотогальванического режима по ВАХ графически измерьте
значения тока короткого замыкания в напряжения холостого хода фото-
диода для различных значений светового потока и постройте графики
IКЗ= f(Ф) и UХХ = f(Ф) (см. рисунок 2).
      11. Для кривой семейства ВАХ, соответствующей максимальному
световому потоку, рассчитайте положение оптимальной рабочей точки
фотодиода. Критерием оптимальности является максимальная мощность,
отдаваемая фотодиодом в нагрузку в фотогальваническом режиме. Для
этого, перемещая положение точки А по ВАХ, соответствующей макси-
мальной освещенности фотодиода (на рисунке 1 это соответствует
Ф = Ф4) и рассчитывая в каждой точке значения мощности Р= UОБР * I ОБР ,
найдите максимальную мощность Р макс , отдаваемую фотодиодом в
нагрузку.
      12. Для оптимальной рабочей точки рассчитайте оптимальное со-
противление нагрузки RН ОПТ. Рассчитайте по ВАХ сопротивление базы (R
ВН = UХХ /   IКЗ) и сравните его с R Н ОПТ .


      Для исследования фототранзистора необходимо собрать электриче-
скую схему, показанную на рисунке 5.




                                           9