Исследование характеристик полевого транзистора. - 5 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МАИ | Москва

Рубрика: 

5
(переключателем "STEP AMPLITUDE") так, чтобы семейство ВАХ зани-
мало как можно большую часть экрана характериоскопа а нижняя кривая
как можно ближе к нулевому току. Перерисуйте семейство выходных ВАХ
на миллиметровку в масштабе достаточно крупном для дальнейших вы-
числений (1 клетка на экране осциллографа ≤ 1см).
Рисунок 2. Семейство выходных характеристик ПТ.
На семействе выходных ВАХ проведите нагрузочную прямую, опре-
делите нагрузочное сопротивление R
Н
и выберите рабочую точку А.
2. Постройте сток-затворные характеристики на основании выход-
ных ВАХ для трех значений выходного напряжения U
СИ
. Способ графиче-
ского построения сток-затворных характеристик приведен в Приложении.
Определите U
ЗИ НАС
, продлив построенные зависимости до пересече-
ния с осью 0 - U
ЗИ
.
3. Рассчитайте параметры исследуемого полевого транзистора по его
характеристикам (смотрите Приложение):
а) Крутизну сток-затворной характеристики:
S=(ΔI
C
)/(ΔU
ЗИ
), мА/В при ΔU
СИ
=0 (U
СИ
=const);
б) Внутреннее дифференциальное сопротивление:
r
i
= (ΔU
СИ
)/(ΔI
C
), Ом при ΔU
ЗИ
=0 (U
ЗИ
=const); 
(переключателем "STEP AMPLITUDE") так, чтобы семейство ВАХ зани-
мало как можно большую часть экрана характериоскопа а нижняя кривая
как можно ближе к нулевому току. Перерисуйте семейство выходных ВАХ
на миллиметровку в масштабе достаточно крупном для дальнейших вы-
числений (1 клетка на экране осциллографа ≤ 1см).




            Рисунок 2. Семейство выходных характеристик ПТ.


      На семействе выходных ВАХ проведите нагрузочную прямую, опре-
делите нагрузочное сопротивление RН и выберите рабочую точку А.
      2. Постройте сток-затворные характеристики на основании выход-
ных ВАХ для трех значений выходного напряжения UСИ. Способ графиче-
ского построения сток-затворных характеристик приведен в Приложении.
      Определите UЗИ НАС, продлив построенные зависимости до пересече-
ния с осью 0 - UЗИ.
      3. Рассчитайте параметры исследуемого полевого транзистора по его
характеристикам (смотрите Приложение):
      а) Крутизну сток-затворной характеристики:
      S=(ΔIC)/(ΔUЗИ), мА/В при ΔUСИ=0 (UСИ=const);
      б) Внутреннее дифференциальное сопротивление:
      ri = (ΔUСИ)/(ΔIC), Ом при ΔUЗИ =0 (UЗИ =const);
                                       5

Страницы