Исследование характеристик полупроводниковых диодов. - 3 стр.

     – для напряжений – 0,1 В/дел;
     – для токов - ! мА/дел;
а для обратной:
     – для напряжений – 1 В/дел;
     – для токов – 5 мкА/дел.
     3. Подать на исследуемый прибор напряжение, поставив переключа-
тель "OFF" в левое или правое положение, смотря по тому, к каким гнез-
дам – левым или правым – подключен исследуемый прибор. На экране
должна появиться ВАХ. Яркая точка, из которой она начинается, будет со-
ответствовать нулевому напряжению на исследуемом приборе. Зарисовать
на миллиметровке на одном графике прямую и обратную ветвь ВАХ.
     4. Проделать аналогичные операции и для других диодов и на том же
графике нарисовать их ВАХ. При этом для стабилитрона снимается только
прямая ветвь ВАХ.
     5. Для прямых ветвей провести (самостоятельно) нагрузочную ха-
рактеристику I=(E-U)/Rнагр , так, что бы она пересекала все ВАХ на прямо-
линейных участках.




                                      3