ВУЗ:
Рубрика:
3
I
вых
R
I
вх
Транзистор
Резистор
Диод
Тиристор
Рисунок. 1.
Быстродействие оптронов оценивается по длительности фронтов вы-
ходного сигнала при подаче на вход импульса прямоугольной формы в со-
ответствии с рисунком 2.
I
вх
t
t
U
вых
+U
вых2
t
вкл
t
выкл
1.0
0.9
0.1
0
Рисунок. 2.
Описание лабораторной обстановки
.
Схема лабораторной установки для исследования статических пере-
даточных характеристик оптронов приведена на рисунке 3, установки для
исследования инерционности диодного и резисторного оптронов – на ри-
сунке 4.
Iвых R Тиристор Транзистор Резистор Диод Iвх Рисунок. 1. Быстродействие оптронов оценивается по длительности фронтов вы- ходного сигнала при подаче на вход импульса прямоугольной формы в со- ответствии с рисунком 2. Iвх Uвых t 1.0 +Uвых2 0.9 0.1 0 t tвкл tвыкл Рисунок. 2. Описание лабораторной обстановки. Схема лабораторной установки для исследования статических пере- даточных характеристик оптронов приведена на рисунке 3, установки для исследования инерционности диодного и резисторного оптронов – на ри- сунке 4. 3