ВУЗ:
Рубрика:
3
I
вых
R
I
вх
Транзистор
Резистор
Диод
Тиристор
Рисунок. 1.
Быстродействие оптронов оценивается по длительности фронтов вы-
ходного сигнала при подаче на вход импульса прямоугольной формы в со-
ответствии с рисунком 2.
I
вх
t
t
U
вых
+U
вых2
t
вкл
t
выкл
1.0
0.9
0.1
0
Рисунок. 2.
Описание лабораторной обстановки
.
Схема лабораторной установки для исследования статических пере-
даточных характеристик оптронов приведена на рисунке 3, установки для
исследования инерционности диодного и резисторного оптронов – на ри-
сунке 4.
Iвых
R Тиристор
Транзистор
Резистор
Диод
Iвх
Рисунок. 1.
Быстродействие оптронов оценивается по длительности фронтов вы-
ходного сигнала при подаче на вход импульса прямоугольной формы в со-
ответствии с рисунком 2.
Iвх
Uвых t
1.0 +Uвых2
0.9
0.1
0 t
tвкл tвыкл
Рисунок. 2.
Описание лабораторной обстановки.
Схема лабораторной установки для исследования статических пере-
даточных характеристик оптронов приведена на рисунке 3, установки для
исследования инерционности диодного и резисторного оптронов – на ри-
сунке 4.
3
