Исследование оптронов. - 3 стр.

UptoLike

3
I
вых
R
I
вх
Транзистор
Резистор
Диод
Тиристор
Рисунок. 1.
Быстродействие оптронов оценивается по длительности фронтов вы-
ходного сигнала при подаче на вход импульса прямоугольной формы в со-
ответствии с рисунком 2.
I
вх
t
t
U
вых
+U
вых2
t
вкл
t
выкл
1.0
0.9
0.1
0
Рисунок. 2.
Описание лабораторной обстановки
.
Схема лабораторной установки для исследования статических пере-
даточных характеристик оптронов приведена на рисунке 3, установки для
исследования инерционности диодного и резисторного оптроновна ри-
сунке 4.
               Iвых
               R                                           Тиристор


                                                            Транзистор




                                               Резистор
                                                                  Диод

                                                                         Iвх

                                   Рисунок. 1.


     Быстродействие оптронов оценивается по длительности фронтов вы-
ходного сигнала при подаче на вход импульса прямоугольной формы в со-
ответствии с рисунком 2.
                 Iвх



               Uвых                                                            t


                  1.0     +Uвых2
                  0.9




                 0.1
                  0                                                            t
                                    tвкл                  tвыкл

                                   Рисунок. 2.


                      Описание лабораторной обстановки.


     Схема лабораторной установки для исследования статических пере-
даточных характеристик оптронов приведена на рисунке 3, установки для
исследования инерционности диодного и резисторного оптронов – на ри-
сунке 4.




                                           3