Рубрика:
Остановимся кратко на трех важнейших процессах взаимодействия гамма-квантов с веществом.
1.Фотоэффект.
При прохождении через вещество гамма-квант может всю свою энергию передать связанному в атоме
электрону. При этом часть энергии расходуется на преодоление связи электрона с атомом, а остальная
превращается в кинетическую энергию эммитируемого электрона. Процесс вырывания электрона из
атома гамма-квантом называется фотоэффектом, а вырываемые электроны - фотоэлектронами.
Вероятность фотоэффекта зависит от энергии фотонов
ω
h и заряда ядер z. Сечение фотоэф-
фекта определяется из соотношения.
5
5,3
1
z
ф
⋅
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
≈
ω
σ
h
(48)
2.Комптоновское рассеяние гамма-квантов
При низких энергиях фотона, когда длина волны сравнима с размерами атома, происходит так назы-
ваемое классическое или когерентное рассеяние, при котором длина волны рассеянного фотона не из-
меняется и последний сохраняет свою энергию, меняя лишь направление импульса.
При энергиях фотона, значительно превышающих энергию связи
электронов в атомах, фотон
может вступать во взаимодействие со свободным или слабо связанным электроном. При этом фотон в
результате упругого соударения с электроном передает последнему часть своей энергии
ω
h и им-
пульса
с
ω
h , а сам изменяет свою частоту и направление распространения. Изменение направления
движения фотона с изменением его частоты называется комптоновским рассеянием на электронах. Оно
является преобладающим процессом при энергиях порядка 1 М
э
В.
Вероятность эффекта Комптона зависит от энергии
γ
- квантов.
Сечение комптоновского эффекта:
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
+≈
2
1
ln
2
2
cm
cm
o
o
к
ω
ω
σ
h
h
(49)
где
m
0
- масса покоя электрона.
3.Образование электронно-позитронных пар
При энергии фотонов
МЭВ02,1≥
ω
h
возникает новый процесс- образование пар частиц электрон-
позитрон: гамма-фотон превращается в пару электрон-позитрон. Образование пары также может про-
исходить как в поле ядра, так и в поле электрона. Вклад каждой из составляющих полного коэффици-
ента ослабления зависит от энергии фотона и атомного номера элемента.
Поглощение гамма-лучей в
веществе описывается уравнением (43), но так как интенсивность
пучка гамма-лучей пропорциональна числу гамма-квантов, выражение (43) можно представить в виде:
d
eNN
μ
−
=
0
(50)
где N
0
- число квантов, зарегистрированных прибором без поглотителя за время t;
N - число квантов, прошедших через слой вещества толщиной d и зарегистрированных прибором за то
же время t;
μ
- коэффициент линейного поглощения.
Если имеем две пластины вещества толщиной d, то для них
1
01
d
eNN
μ
−
=
(51)
2
02
d
eNN
μ
−
=
(52)
Решив систему уравнений относительно
μ
, получим:
12
12
lnln
dd
N
N
−
−
=
μ
(53)
Для целого ряда расчетов удобно пользоваться значением толщины слоя половинного ослабления d
0.5
;
Остановимся кратко на трех важнейших процессах взаимодействия гамма-квантов с веществом. 1.Фотоэффект. При прохождении через вещество гамма-квант может всю свою энергию передать связанному в атоме электрону. При этом часть энергии расходуется на преодоление связи электрона с атомом, а остальная превращается в кинетическую энергию эммитируемого электрона. Процесс вырывания электрона из атома гамма-квантом называется фотоэффектом, а вырываемые электроны - фотоэлектронами. Вероятность фотоэффекта зависит от энергии фотонов hω и заряда ядер z. Сечение фотоэф- фекта определяется из соотношения. 3, 5 ⎛ 1 ⎞ σф ≈ ⎜ ⎟ ⋅ z5 (48) ⎝ hω ⎠ 2.Комптоновское рассеяние гамма-квантов При низких энергиях фотона, когда длина волны сравнима с размерами атома, происходит так назы- ваемое классическое или когерентное рассеяние, при котором длина волны рассеянного фотона не из- меняется и последний сохраняет свою энергию, меняя лишь направление импульса. При энергиях фотона, значительно превышающих энергию связи электронов в атомах, фотон может вступать во взаимодействие со свободным или слабо связанным электроном. При этом фотон в результате упругого соударения с электроном передает последнему часть своей энергии hω и им- ω пульса h , а сам изменяет свою частоту и направление распространения. Изменение направления с движения фотона с изменением его частоты называется комптоновским рассеянием на электронах. Оно является преобладающим процессом при энергиях порядка 1 МэВ. Вероятность эффекта Комптона зависит от энергии γ - квантов. Сечение комптоновского эффекта: mo c 2 ⎛ hω 1⎞ σк ≈ ⎜⎜ ln + ⎟⎟ (49) hω ⎝ mo c 2 2⎠ где m 0 - масса покоя электрона. 3.Образование электронно-позитронных пар При энергии фотонов hω ≥ 1,02 МЭВ возникает новый процесс- образование пар частиц электрон- позитрон: гамма-фотон превращается в пару электрон-позитрон. Образование пары также может про- исходить как в поле ядра, так и в поле электрона. Вклад каждой из составляющих полного коэффици- ента ослабления зависит от энергии фотона и атомного номера элемента. Поглощение гамма-лучей в веществе описывается уравнением (43), но так как интенсивность пучка гамма-лучей пропорциональна числу гамма-квантов, выражение (43) можно представить в виде: N = N0e− μd (50) где N0 - число квантов, зарегистрированных прибором без поглотителя за время t; N - число квантов, прошедших через слой вещества толщиной d и зарегистрированных прибором за то же время t; μ - коэффициент линейного поглощения. Если имеем две пластины вещества толщиной d, то для них N1 = N0e− μd1 (51) N2 = N0e−μd2 (52) Решив систему уравнений относительно μ , получим: ln N 2 − ln N1 μ= (53) d 2 − d1 Для целого ряда расчетов удобно пользоваться значением толщины слоя половинного ослабления d 0.5;