Физика. Электромагнитные колебания. Квантовая теория излучения. Иваницкая Ж.Ф. - 70 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

70
на видимую. Для собственных полупроводников
,
з
к
W
ch
Δ
=
λ
для примесных –
.
п
к
W
ch
Δ
=
λ
)(
0
При увеличении числа фотонов
с энергией h
ν
≥ ΔW
запр
число электронно-дырочных пар увели-
чивается.
Процесс образования свободных носителей под действием
света называется генерацией свободных носителей.
Введем понятие темпа генерации G, который определяется
процессами взаимодействия излучения с полупроводником.
Интенсивность монохроматического света I на глубине х
связана с интенсивностью I
0
у поверхности полупроводника
законом Бугера
,
x
α
−
I
x
I
e
⋅
=
.dxIdI
где
α
– линейный коэффициент
поглощения света, различный для разных частот.
Количество световой энергии, поглощаемой за 1 с едини-
цей толщины dx, определяется как
=
−
α
Тогда энергия, поглощаемая единицей объема за 1 с, составит
.I
dx
dI
α
=
Отношение
I
ν
h
определяет число поглощенных квантов.
Число же электронно-дырочных пар, образующихся в единич-
ном объеме за 1 с фотонами с энергией h
ν
, называется темпом
генерации G, который в свою очередь находится по формуле:
,
ν
βα
h
I
G =
где
β
– коэффициент пропорциональности, называемый кван-
товым выходом.
Если R – коэффициент отражения света от поверхности
полупроводника, то скорость генерации светом электронно-
дырочных пар на расстоянии х от освещаемой поверхности оп-
ределяется уравнением 
                                                             ch
на видимую. Для собственных полупроводников λк =                ,
                                                            ΔWз
                          ch
для примесных – λк =         . При увеличении числа фотонов
                         ΔWп
с энергией hν ≥ ΔWзапр  число электронно-дырочных пар увели-
чивается.
    Процесс образования свободных носителей под действием
света называется генерацией свободных носителей.
    Введем понятие темпа генерации G, который определяется
процессами взаимодействия излучения с полупроводником.
    Интенсивность монохроматического света I на глубине х
связана с интенсивностью I0 у поверхности полупроводника
законом Бугера I ( x) = I 0 ⋅ e −αx , где α – линейный коэффициент
поглощения света, различный для разных частот.
    Количество световой энергии, поглощаемой за 1 с едини-
цей толщины dx, определяется как
                           dI = − Iαdx.
    Тогда энергия, поглощаемая единицей объема за 1 с, составит
                             dI
                                = αI .
                             dx
                αI
    Отношение       определяет число поглощенных квантов.
                hν
Число же электронно-дырочных пар, образующихся в единич-
ном объеме за 1 с фотонами с энергией hν, называется темпом
генерации G, который в свою очередь находится по формуле:
                                    βαI
                              G=        ,
                                    hν
где β – коэффициент пропорциональности, называемый кван-
товым выходом.
    Если R – коэффициент отражения света от поверхности
полупроводника, то скорость генерации светом электронно-
дырочных пар на расстоянии х от освещаемой поверхности оп-
ределяется уравнением

                               70

Страницы