Составители:
85
Квантовая теория излучения
Если скорость рекомбинации мала, фототок при уменьшении
длины волны (при увеличении энергии кванта
hν) увеличивается,
достигает максимума
I
ф max
. При дальнейшем увеличении частоты
(уменьшении длины волны) световые кванты проникают глубже,
коэффициент поглощения увеличивается, возрастает вероят-
ность рекомбинации электронов с дырками
, фототок уменьша-
ется и перестает зависеть от частоты. Электрически нейтральные
связанные состояния электрона и дырки, называются
экситонами.
Экситонное поглощение света не сопровождается ростом фотото-
ка. Значение энергии кванта света со стороны длинноволнового
края поглощения, соответствующее приведенному фототоку
50= ,
I
I
maxф
ф
, позволяет оценить ширину запрещенной зоны энер-
гии полупроводникового материала, из которого изготовлен фото-
резистор. Для этого на графике находят длину волны
λ, а затем и
величину кванта энергии
ε=
п
W
hc
Δ≈
λ
(1)
Квантовая теория излучения
Если скорость рекомбинации мала, фототок при уменьшении
длины волны (при увеличении энергии кванта hν) увеличивается,
достигает максимума Iф max. При дальнейшем увеличении частоты
(уменьшении длины волны) световые кванты проникают глубже,
коэффициент поглощения увеличивается, возрастает вероят-
ность рекомбинации электронов с дырками, фототок уменьша-
ется и перестает зависеть от частоты. Электрически нейтральные
связанные состояния электрона и дырки, называются экситонами.
Экситонное поглощение света не сопровождается ростом фотото-
ка. Значение энергии кванта света со стороны длинноволнового
края поглощения, соответствующее приведенному фототоку
Iф
= 0,5 , позволяет оценить ширину запрещенной зоны энер-
I ф max
гии полупроводникового материала, из которого изготовлен фото-
резистор. Для этого на графике находят длину волны λ, а затем и
величину кванта энергии
hc
ε= ≈ ΔWп (1)
λ
85
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 83
- 84
- 85
- 86
- 87
- …
- следующая ›
- последняя »
