Физико-химические основы РЭС. Иванов В.П - 19 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

2 Уравнение Ричардсона -Дэшмена.
3 Влияние покрытий на работу выхода.
4 Эффект Шоттки.
5 Холодная эмиссия электронов, туннельный эффект.
6 Эффективная масса электрона.
[8, с. 211 – 215]
Лабораторная работа № 10
ИЗУЧЕНИЕ ВНУТРЕННЕГО ФОТОЭФФЕКТА
Цель работы: общее знакомство с методикой исследования фотоэлектрических свойств полупроводников. Измерение
вольтамперной характеристики фоторезисторов. Определение времени жизни неравновесных носителей.
Приборы и принадлежности: прибор для определения параметров фоторезисторов ИФС-1, шлейфовый осциллограф,
фоторезисторы.
Методические указания
Внутренний фотоэффект – это процесс внутренней ионизации полупроводника под действием света, приводящий к
образованию избыточных, неравновесных носителей заряда. Добавочную проводимость, обусловленную внутренним
фотоэффектом, называют фотопроводимостью.
Основная проводимость, обусловленная тепловым возбуждением свободных носителей заряда, называется тепловой
проводимостью.
Приборы, предназначенные для регистрации светового излучения по величине фотопроводимости, называются
фоторезисторами (ФР). Схематическое устройство фотосопротивления показано на рис. 10.1.
На стеклянную подложку 1 наносят путем катодного распыления слой металла 2 – электроды, а между ними – путем
испарения в вакууме – тонкий слой 3 соответствующего полупроводника. Иногда этот слой наносят и путем осаждения из
раствора, методом порошковой металлургии или же просто механически: намазывают пасту из полупроводника,
замешанную на растворителе, которую затем высушивают и вжигают.
Перевод электронов в зону проводимости требует меньшей работы, чем при внешнем фотоэффекте. Поэтому
фотоэлементы с внутренним фотоэффектом имеют более длинноволновую границу фотоэффекта и в инфракрасной области
они наиболее пригодны.
К наиболее распространенным типам ФР относится ФС-А1, ФС-А4 из сернистого свинца, ФС-Б2 из сернистого висмута,
ФС-К1, ФС-К2, ФСК-MI, ФСК-М2 из сернистого кадмия. Буква М добавляется в том случае, если ФС выполнен из
монокристалла.
Порядок выполнения работы
1 Перед включением приборов в сеть следует убедиться в том, что:
– на приборе ИФС переключатель ВЗ находится в положении "2ма";
– переключатель пределов на "Фотоне" – в положении "1";
– ручки R13, R7 и В2 – в крайнем левом положении.
2 Снять вольтамперные характеристики ФР для трех значений освещенности E. При этом соблюдать следующую
последовательность:
– включить прибор в сеть, включить питание тумблером В
1
;
– открыть шторку на панели и внутрь камеры поместить датчик "Фотона" для установки освещенности. Включить
"Фотон" в сеть;
– включить осветительную лампу накаливания тумблером В
4
;
–
на приборе "Фотон" нажать кнопку "ВКЛ" и, регулируя ток накала резистором R13 на ИФС-1, установить на
верхней шкале "Фотона" произвольное число делений в диапазоне от 1,4 до 0,5 дел. Полученное число делений перевести в
единицы освещенности, пользуясь графиком (рис. 10.2). Закрыть шторку камеры ИФС-1;
– для первого значения освещенности, не меняя накала лампы 13, снять вольтамперные характеристики
I
ф
= f (U),

Страницы