Физико-химические основы РЭС. Методическое пособие - 19 стр.

UptoLike

7.1 Влияние температуры на электропроводность полупроводника
t, °С
R, Ом T, К 1/T, К
1
ρ
, Ом м
σ
, (Ом
м)
ln
σ
4 Пересчитать сопротивление в удельную электропроводность и построить график зависимости ln
σ = f (1 / Т).
5 Методом наименьших квадратов определить ширину запрещенной зоны полупроводника. Срав-
нить со справочными данными. Если на экспериментальном графике выявляется перелом, произвести
отдельно расчеты для температурного интервала собственной и примесной проводимости.
Содержание отчета
1 Название и цель работы.
2 Тип приборов и характеристика полупроводника.
3 Метод измерения сопротивления, схема установки.
4 Таблица экспериментальных данных и график зависимости
ln σ = f (1 / Т).
5 Расчет ширины запрещенной зоны.
6 Сравнение полученных данных со справочными.
Контрольные вопросы
1 Образование энергетических зон. Валентная, запрещенная и зона проводимости.
2 Зонная структура металлов, диэлектриков и полупроводников.
3 Примесные уровни в полупроводниках. Доноры, акцепторы, собственные полупроводники.
4 Концентрация носителей зарядов в собственном полупроводнике. Уровень Ферми.
5 Концентрация носителей заряда и значение уровня Ферми в примесном полупроводнике. Три
температурные области проводимости.
6 Основные и неосновные, равновесные и неравновесные носители.
7 Закон действующих масс.
8 Сильнолегированные полупроводники.
[8, с. 142 – 171, 190 – 193]; [19, с. 5 – 19]
Лабораторная работа 8
ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ И ХОЛЛОВСКОЙ
ПОДВИЖНОСТИ ОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА
Цель работы: определение концентрации и холловской подвижности основных носителей заряда в по-
лупроводниках на основании измерений эффекта Холла.
Приборы и принадлежности: электромагнит, источник тока, амперметр, потенциометр, нуль-прибор,
образец полупроводника.
Методические указания
Явление образования электрического поля E
H
в направлении, перпендикулярном действию внешне-
го поля при помещении проводника в магнитное поле В называется эффектом Холла. Связь между E
H
и
В можно представить в виде
E
H
= R
H
j B, (8.1)