ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
На  практике, 
как  уже  обсужда-
лось выше, форма 
и  размеры  –  ве-
личина случайная, 
зависящая  от 
множества  пара-
метров.  Однако 
вероятность  появ-
ления  той  или 
иной  морфологии 
кристаллов  опре-
деляется действием закона – большая часть кристаллов будет иметь форму, соответствующую миниму-
му энергии. 
В  качестве  подложек  используется  оптическое стекло (аморфный материал) и монокристаллические 
пластинки слюды. 
Слюда – мусковит  КАl
2
[АlSi
3
O
10
](ОН)
2
  имеет  сложную  слоистую  кристаллическую  решетку  моно-
клинной  сингонии.  Однако  в  ее  плоскости  спайности (001) наблюдается  гексагональная  симметрия  в 
расположении атомов, близкая к плоской сетке (111) в йодистом калии.  
Параметры решетки вдоль [100] у слюды (а = 5,18А) и по [100] для KI (a = 4,99А) близки. Поэтому 
при наложении плоских сеток (111) KI и (001) слюды (рис. 14.2) отдельные узлы совпадают (показаны 
двойными  кружками  и  штриховкой)  и  наблюдается  эпитаксиальный  рост  кристаллов  йодистого  калия 
на мусковите. 
Порядок выполнения работы 
1  Взять подготовленные обезжиренные подложки из стекла и слюды и нанести пипеткой на каж-
дую каплю 5 %-го спиртового раствора йодистого калия. Легкими покачиваниями подложки увеличить 
растекание капли до диаметра 10 … 15 мм. 
2  Поместить подложки под объектив микроскопа и дождаться полного испарения растворителя (10 
… 15 мин). 
Внимание! Не допускается нагревать или дуть на подложку при испарении растворителя. 
3  Изучить под микроскопом формы кристаллов, встречающиеся на каждой подложке. 
4  Провести  вероятностную  оценку  частоты  встречи  различных  форм  зародышей  на  каждой  под-
ложке. Для этого по пятидесяти  случайным кристаллам определить число кристаллов, форма которых 
соответствует плоскостям роста (111), (110) и (100). 
Содержание отчета 
1  Название и цель работы. 
2  Методика изучения роста кристаллов из раствора. 
3  Рисунки форм зародышей кристаллов с указанием соответствующей им плоскости роста. 
4  Столбчатая гистограмма частоты встречи различных форм кристаллов для аморфной и монокри-
сталлической подложки и вывод о наличии эпитаксиального роста. 
5  Структурная формула эпитаксиального роста для кристаллов, предложенных преподавателем. 
Контрольные вопросы 
1  Адсорбция. Виды и изотермы адсорбции. 
2  Термодинамика образования зародышей. 
3  Рост кристаллов. 
4  Стадии роста тонких пленок. 
Рис. 14.2  Совпадение плоских  
атомных сеток слюды (2) и  
йодистого калия (1) 
1 
2 
