Технология проектирования печатных плат в САПР Р-САD-2006. Иванова Н.Ю - 160 стр.

UptoLike

160
б) типа NPN
*A=3/4D
10. Транзистор с двумя
базами
13. Обозначение затвора
(для полевых
транзисторов)
14. Полевой транзистор
D 10 12 14
a 5 6 7
b 7 8 9