ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
52
RTW
eDD
0
, (3.11)
где D – коэффициент диффузии, W – энергия активации процесса
диффузии. Тогда
Е
д
= Aе
-W/2RT
, (3.12)
где A = const.
Например, с ростом температуры эманирующая способность
хлорида бария незначительно увеличивается до 400 ºС (рис. 3.12), далее
она резко возрастает. При этой температуре и выше происходит
разрыхление кристалла, в результате чего резко усиливается диффузия
элементов. Понижение эманирующей способности при 830–920 ºС
объясняется перекристаллизацией, «залечиванием» трещин и исчезно-
вением пор. При дальнейшем нагревании эманирующая способность
увеличивается и достигает 100 % при плавлении.
Переход кристалла из одной модификации в другую при
изменении температуры сопровождается скачкообразным изменением
эманирующей способности.
Величина поверхности вещества, из которого происходит эмани-
рование, существенно сказывается на эманирующей способности. Так,
для свежеприготовленного гидроксида железа с сильно развитой
поверхностью она близка к 100 %, но по мере старения осадка его
эманирующая способность резко падает.
3.2.2. Выщелачивание и сублимация
О состоянии радиоактивных изотопов в твердых телах можно
судить по их способности переходить в раствор при воздействии на
Рис. 3.12. Зависимость эманирующей способности хлорида бария от
температуры
100
300 500
700
900
1
10
100
t, C
O
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 50
- 51
- 52
- 53
- 54
- …
- следующая ›
- последняя »
