Электромагнитная совместимость высоковольтной техники. Жгун Д.В. - 10 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

120 377 Ом,Z

===

(1.1)

где μ

= 4π·10

Гн/м (магнитная проницаемость свободного пространст-

ва – магнитная постоянная) и ε

= 8,85

Ф/м (диэлектрическая про-

ницаемость свободного пространства – диэлектрическая постоянная).

Рис. 1.3. Волновое сопротивление

В ближней зоне, d <λ/2π, волновое сопротивление определяется в

соответствии с характеристиками источника. Низкий ток и высокий по-

тенциал излучателя (например, штыря) создают электрическое поле с

высоким волновым сопротивлением, в то время как большой ток и низ-

кий потенциал излучателя (например, петля с током) будут создавать,

главным образом, магнитное поле с низким волновым сопротивлением.

Если в особом случае излучающая структура имеет волновое сопро-

тивление около 377 Ом, то в зависимости от геометрии плоская волна

может быть создана в ближней зоне.

Зона в окрестности, λ/2π (приблизительно шестая часть длины

волны), является переходной между ближней и дальней зонами. Это не

точный критерий, скорее, это определяет зону, в пределах которой

структура поля изменяется от сложной к простой. Плоские волны все-

гда описывают дальнюю зону, в то

время как в ближней зоне отдельно

рассматривается электрическое или магнитное поле.