ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
82
интенсивнее частичный эффект экранирования, определяемый отраже-
нием электромагнитных волн. Такое рассмотрение является упрощен-
ным, природа же электромагнитного экранирования гораздо сложнее.
Рис. 6.1. Экранирование с точки зрения волновых представлений
Эффективность экранирования сплошного проводящего барьера
также может быть записана как сумма потерь отражения, переотраже-
ния и поглощения:
э
RAB
α
=
++
, дБ. (6.8)
Это выражение известно как «модель линии передачи» для эффек-
тивности экранирования, и среди других моделей она выделяется важ-
нейшим предположением, что связь между токами экрана и источника
падающих волн ничтожно мала. Оно существенно упрощает модель,
когда это допустимо.
Значение потерь на отражение
R можно рассчитать из следующих
выражений:
• для дальней зоны (плоская электромагнитная волна):
[
]
fR
tr
⋅
−
= )/(lg10168
σ
μ
, дБ, (6.9)
• для электрического поля (ближняя зона):
[
]
23
)/(lg10322 rfR
trE
⋅
⋅
−=
σ
μ
, дБ, (6.10)
• для магнитного поля (ближняя зона):
[
]
2
)/(lg106,14 rfR
trH
⋅
⋅
−
=
σ
μ
, дБ, (6.11)
где μ
r
– относительная магнитная проницаемость; σ
r
– относительная
проводимость (проводимость материала относительно проводимости
меди); f – частота поля, Гц; r – расстояние до источника излучения, м.
Потери на поглощение А:
)
/
(69.8
δ
t
A
=
, дБ, (6.12)
где t
– толщина экрана, м;
0.5
0,0661( )
rr
f
δμσ
−
=⋅⋅
, м – глубина проник-
новения (толщина скин-слоя).
Повторные отражения
В:
)1lg(20
)/(22
δ
t
eB
−
−= , дБ. (6.13)
Потери поглощения А
Е
1
, Н
1
Потери
переотражения В
Потери отражения
Е
0
, Н
0
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 80
- 81
- 82
- 83
- 84
- …
- следующая ›
- последняя »
