Химическое сопротивление материалов и защита оборудования нефтегазопереработки от коррозии. Кац Н.Г - 34 стр.

UptoLike

32
ческая решетка искажается, а ближайшие атомы смещаются от своего
равновесного состояния.
Дислоцированные атомы (рис. 1.1, б) атомы основного металла,
смещенные из своих равновесных положений в межузельные про-
странства; местами их расположения являются пустоты наибольшего
объема.
Если вакансии и дислоцированные атомы образуются одновре-
менно, то возникают парные дефекты, называемые дефектами Френ-
келя (рис. 1.1, в), концентрация которых в металлических материалах
ниже, чем остальных точечных дефектов. Точечные дефекты сущест-
венно влияют на процессы диффузии ионов металла при образовании
поверхностных оксидных пленок.
Дислокации являются линейными дефектами кристаллической
решетки металла. Они возникают в процессе затвердевания охлаж-
дающегося металла и при механических воздействиях на металл.
В реальных металлических материалах дислокации образуют
сплошную трехмерную сетку с узлами. В узлах происходит пересече-
ние отдельных дислокаций, расстояние между которыми оценивается
как ≈ 10
-6
м [24].
К плоскостным и поверхностным дефектам кристаллической ре-
шетки ис. 1.2 и 1.3) относят границы, разделяющие различно ори-
ентированные области. Например, границы зерен (рис. 1.2, а, в, г),
блоков (рис. 1.3, б), двойников (рис. 1.2, б). Типы границ различаются
углом разориентировки
(рис. 1.3, а). Чем больше величина угла ра-
зориентировки, тем выше энергия кристаллической решетки, но все-
гда энергия решетки, содержащей поверхностные дефекты, выше,
чем содержащей линейные [1, 24].
Дефекты кристаллической решетки способствуют протеканию в
металле процессов диффузии и фазовых превращений. Взаимодейст-
вие дефектов, приводящее к снижению энергии кристаллической ре-
шетки, – характерное явление для металлических материалов.