Проектирование источников электропитания. Калинин Е.А. - 15 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

15
Определяем напряжение на входе фильтра
вх01minкэ0вх m
UUUU ++= .
Предполагая применить транзистор с малым напряжением U
кэ min
, за-
даемся минимальным напряжением между коллектором и эмиттером тран-
зистора U
кэ min
= 1,4 В. Амплитуда пульсаций на входе фильтра U
01m вх
за-
дана и равна примерно 2 В, тогда
4,4524,142
вх
=++=U В.
Выбираем транзистор
У транзистора допустимое напряжение коллектор-эмиттер должно
быть больше напряжения на входе фильтра U
кэ доп
>U
вх
= 45,4 В; допусти-
мый ток коллектора I
к
> 2I
0
= 2 · 0,25 = 0,5 А; ток базы в выбранном режи-
ме должен превышать обратный ток коллектора не меньше чем на порядок.
Этим условиям удовлетворяет транзистор КТ815В, у которого I
к max
= 1,5 А;
U
нас
= 0,6 В; U
кэ max
= 70 В; I
к0
= 300 мкА; h
21э
= 50; h
11б
= 0,7; P
к доп
= 10 Вт с
радиатором; t
пер max
= 85 °С; R
Т, переход-среда
= 35 °С/Вт.
Выбранное напряжение U
кэ min
= 1,4 В больше U
нас
= 0,6 В, следова-
тельно, рабочая точка транзистора, как это и требуется для работы фильт-
ра, будет находиться в активной области выходных характеристик.
Определяем допустимую мощность Р
к mах
для КТ815В, рассеиваемую
транзистором без радиатора
3,1
35
4085
среда-переходT,
max окрmaxпер
maxк
=
−
=
−
=
R
tt
P
Вт.
Мощность, рассеиваемая коллектором транзистора,
85,025,0)424,45(
ккэк
=−== IUP Вт.
Так как P
к
< Р
к mах
, то транзистор можно ставить без радиатора. Оп-
ределяем ток базы транзистора
550/25,0/
э21кб
=== hII
мА.
Ток базы транзистора превышает обратный ток коллектора более чем
в 10 раз.
Определяем сопротивление в цепи базы
580105/)5,04,3(/)(
3
бэбкэб
=⋅−=−=
−
IUUR Ом. 
      Определяем напряжение на входе фильтра
                      U вх = U 0 + U кэ min + U 01m вх .
      Предполагая применить транзистор с малым напряжением Uкэ min, за-
даемся минимальным напряжением между коллектором и эмиттером тран-
зистора Uкэ min = 1,4 В. Амплитуда пульсаций на входе фильтра U01m вх за-
дана и равна примерно 2 В, тогда
                           U вх = 42 + 1,4 + 2 = 45,4 В.
       Выбираем транзистор
       У транзистора допустимое напряжение коллектор-эмиттер должно
быть больше напряжения на входе фильтра Uкэ доп>Uвх = 45,4 В; допусти-
мый ток коллектора Iк > 2I0 = 2 · 0,25 = 0,5 А; ток базы в выбранном режи-
ме должен превышать обратный ток коллектора не меньше чем на порядок.
Этим условиям удовлетворяет транзистор КТ815В, у которого Iк max = 1,5 А;
Uнас = 0,6 В; Uкэ max = 70 В; Iк0 = 300 мкА; h21э = 50; h11б = 0,7; Pк доп = 10 Вт с
радиатором; tпер max = 85 °С; RТ, переход-среда = 35 °С/Вт.
       Выбранное напряжение Uкэ min = 1,4 В больше Uнас = 0,6 В, следова-
тельно, рабочая точка транзистора, как это и требуется для работы фильт-
ра, будет находиться в активной области выходных характеристик.
       Определяем допустимую мощность Рк mах для КТ815В, рассеиваемую
транзистором без радиатора
                                tпер max − tокр max 85 − 40
                       Pк max =                     =        = 1,3 Вт.
                                 RT, переход-среда      35
      Мощность, рассеиваемая коллектором транзистора,
                    Pк = U кэ I к = (45,4 − 42)0,25 = 0,85 Вт.
     Так как Pк < Рк mах, то транзистор можно ставить без радиатора. Оп-
ределяем ток базы транзистора
                          I б = I к / h21э = 0,25 / 50 = 5 мА.
      Ток базы транзистора превышает обратный ток коллектора более чем
в 10 раз.
      Определяем сопротивление в цепи базы
                  Rб = (U кэ − U эб ) / I б = (3,4 − 0,5) / 5 ⋅ 10 − 3 = 580 Ом.

                                           15

Страницы