Проектирование источников электропитания. Калинин Е.А. - 15 стр.

UptoLike

Составители: 

15
Определяем напряжение на входе фильтра
вх01minкэ0вх m
UUUU ++= .
Предполагая применить транзистор с малым напряжением U
кэ min
, за-
даемся минимальным напряжением между коллектором и эмиттером тран-
зистора U
кэ min
= 1,4 В. Амплитуда пульсаций на входе фильтра U
01m вх
за-
дана и равна примерно 2 В, тогда
4,4524,142
вх
=++=U В.
Выбираем транзистор
У транзистора допустимое напряжение коллектор-эмиттер должно
быть больше напряжения на входе фильтра U
кэ доп
>U
вх
= 45,4 В; допусти-
мый ток коллектора I
к
> 2I
0
= 2 · 0,25 = 0,5 А; ток базы в выбранном режи-
ме должен превышать обратный ток коллектора не меньше чем на порядок.
Этим условиям удовлетворяет транзистор КТ815В, у которого I
к max
= 1,5 А;
U
нас
= 0,6 В; U
кэ max
= 70 В; I
к0
= 300 мкА; h
21э
= 50; h
11б
= 0,7; P
к доп
= 10 Вт с
радиатором; t
пер max
= 85 °С; R
Т, переход-среда
= 35 °С/Вт.
Выбранное напряжение U
кэ min
= 1,4 В больше U
нас
= 0,6 В, следова-
тельно, рабочая точка транзистора, как это и требуется для работы фильт-
ра, будет находиться в активной области выходных характеристик.
Определяем допустимую мощность Р
к mах
для КТ815В, рассеиваемую
транзистором без радиатора
3,1
35
4085
среда-переходT,
max окрmaxпер
maxк
=
=
=
R
tt
P
Вт.
Мощность, рассеиваемая коллектором транзистора,
85,025,0)424,45(
ккэк
=== IUP Вт.
Так как P
к
< Р
к mах
, то транзистор можно ставить без радиатора. Оп-
ределяем ток базы транзистора
550/25,0/
э21кб
=== hII
мА.
Ток базы транзистора превышает обратный ток коллектора более чем
в 10 раз.
Определяем сопротивление в цепи базы
580105/)5,04,3(/)(
3
бэбкэб
===
IUUR Ом.