Решение задач в Excel на VBA. Применение программных средств в проектировании автомобильных конструкций. Калядин В.И. - 34 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МАМИ | Москва

Составители: 

Рубрика: 

34
цистерну, от высоты h уровня жидкости выражается формулой:
Lhhbbhabhabh )2(11arccos)V(
.
Для сравнения
построить в одних и тех же осях (с одинаковым масштабом единиц)
графики зависимостей h(V), V(h) и h(h).
3. Ёмкость для хранения жидкости имеет форму сферы с радиусом
R=1 м. Для тарировки мерного щупа, опускаемого по малой оси эл-
липсоида, рассчитать высоту h уровня налитой жидкости для объѐма
V через каждые 0.1 м
3
объѐма V. Построить график зависимости
высоты h уровня от объѐма V. Указание. Зависимость объѐма V жид-
кости, налитой в ѐмкость, от высоты h уровня жидкости выражается
формулой:
hR
h
h
3
3
)(V
2
.
Для сравнения построить в одних и
тех же осях (с одинаковым масштабом единиц) графики зависимо-
стей h(V), V(h) и h(h).
4. Ёмкость для жидкости имеет форму, полученную вращением обра-
зующей
)1ln( zr
[м] вокруг вертикальной оси
oz
. Высота ѐм-
кости 0,99 м. Для тарировки мерного щупа, опускаемого по оси
oz
,
рассчитать высоту h уровня налитой жидкости для объѐма V через
каждые 0.1 м
3
объѐма V. Построить график зависимости высоты h
уровня от объѐма V. Указание. Зависимость объѐма V жидкости, на-
литой в ѐмкость, от высоты h уровня жидкости выражается форму-
лой:
zzzh )1ln()1()(V
.
Для сравнения построить в одних и
тех же осях (с одинаковым масштабом единиц) графики зависимо-
стей h(V), V(h) и h(h).
5. Рассчитать зависимость от температуры
K]400;K300[
oo
T
тока
I
, проходящего через диод, при прямом включении источника
ЭДС
. Принять, что диод моделируется последовательно со-
единѐнными резистором (выражающим объѐмное сопротивление
RS
)
и управляемым источником тока
)(VI
, для которого
)1()(),(
)(
NTVT
V
eTIsTVI
, а
N
XTI
NTVT
Eg
Tnom
T
Tnom
T
eISTIs
)(
1
)(
,
где
ом1RS
,
в10614.8)(
5
TTVT
,
4.1N
,
К300
o
Tnom
,
А
14
10
IS
, 
  цистерну, от высоты h уровня жидкости выражается формулой:
               
     V(h)  ab    arccosh b 1  a  h b 1 (2b  h)  h  L . Для сравнения   
  построить в одних и тех же осях (с одинаковым масштабом единиц)
  графики зависимостей h(V), V(h) и h(h).
3. Ёмкость для хранения жидкости имеет форму сферы с радиусом
   R=1 м. Для тарировки мерного щупа, опускаемого по малой оси эл-
   липсоида, рассчитать высоту h уровня налитой жидкости для объѐма
   V через каждые 0.1 м3 объѐма V. Построить график зависимости
   высоты h уровня от объѐма V. Указание. Зависимость объѐма V жид-
   кости, налитой в ѐмкость, от высоты h уровня жидкости выражается
                        h2
   формулой: V(h)           3R  h. Для сравнения построить в одних и
                        3
   тех же осях (с одинаковым масштабом единиц) графики зависимо-
   стей h(V), V(h) и h(h).
4. Ёмкость для жидкости имеет форму, полученную вращением обра-
   зующей r   ln(1  z) [м] вокруг вертикальной оси oz . Высота ѐм-
   кости 0,99 м. Для тарировки мерного щупа, опускаемого по оси oz ,
   рассчитать высоту h уровня налитой жидкости для объѐма V через
   каждые 0.1 м3 объѐма V. Построить график зависимости высоты h
   уровня от объѐма V. Указание. Зависимость объѐма V жидкости, на-
   литой в ѐмкость, от высоты h уровня жидкости выражается форму-
   лой: V(h)    (1 z)  ln(1 z)  z. Для сравнения построить в одних и
   тех же осях (с одинаковым масштабом единиц) графики зависимо-
   стей h(V), V(h) и h(h).
5. Рассчитать     зависимость   от    температуры      T [300 o K; 400 o K]
   тока I , проходящего через диод, при прямом включении источника
   ЭДС E  1 в . Принять, что диод моделируется последовательно со-
   единѐнными резистором (выражающим объѐмное сопротивление RS )
   и управляемым источником тока I (V ) , для которого
                                V                                   T      Eg                     XTI
                                                                        1
                             VT (T )N                              Tnom  VT (T )N     T        N
   I (V ,T )  Is(T )  (e               1) , а Is(T )  IS  e                                       ,
                                                                                          Tnom 
   где RS  1 ом , VT(T )  8.614105  T в , N  1.4 , Tnom  300 o К , IS  1014 А ,


                                                        34

Страницы