Неразрушающие методы контроля. Каневский И.Н - 105 стр.

                                                                      Рис. 6. Распределение намагниченности в ферромагнитном изделии
                                       r                                          и поля рассеяния над внутренним дефектом
Рис. 5. Распределение намагниченности
                          r            Ми в ферромагнитном изделии
         и поля рассеяния Н над поверхностным дефектом (а),
                            d
    а также топография (б) тангенциальной Н и нормальной Н                 На рис. 6 показано поле цилиндрического отверстия диамет-
                                            td               nd
              составляющих напряженности поля дефекта                ром D как модель внутреннего дефекта. В отличие от поля поверх-
                                                                     ностного дефекта поле рассеяния становится заметным только при
                                                                     превышении некоторого порогового значения Н0, тем большего,
       Амплитудные значения составляющих поля дефектов зави-
                                                                     чем глубже расположен дефект. Амплитудное значение поля де-
сят от размеров и ориентации дефектов по отношению к внешнему
                                                                     фекта определяется режимом намагничивания (величиной Н0),
полю, от соотношения проницаемостей среды и дефекта, от рас-
                                                                     размерами дефекта и глубиной залегания. При неизменной глубине
стояния до точки наблюдения. Чем больше размеры дефекта и ближе
                                                                     залегания отверстия поле меняется в слабых магнитных полях
к нему точка наблюдения, чем больше различие проницаемостей,
                                                                     обратно пропорционально квадрату диаметра D и обратно про-
тем больше амплитудные значения составляющих полей дефектов.
                                                                     порционально D в сильных полях. В переменном магнитном поле
       Если вектор намагничивающего поля направлен перпен-           дефекты сплошности среды вызывают локальное изменение
дикулярно плоскости дефекта, поле дефекта совпадает с внешним        вектора напряженности магнитного поля Н, в первом приближении
полем по направлению и имеет максимальное значение. В против-        аналогичное рассмотренному выше для постоянного магнитного
ном случае поле Н ориентируется в направлении нормали к стен-        поля. Однако из-за скин-эффекта информация может быть полу-
                   d
кам трещины, а интенсивность его быстро убывает с увеличением        чена только о дефектах, залегающих сравнительно неглубоко.
угла между нормалью и направлением намагничивания. Заметим,
что магнитное поле рассеяния возникает не только над дефектом,
но и над любыми локальными изменениями однородности магнит-
ных свойств.


                               208                                                                 209