Составители:
Рубрика:
Рис. 3. Дифракция на сетке. Расположение максимумов интенсивности на экране наблюдения
Цель работы.
В работе изучается дифракция лазерного света на сетках с различными размерами ячеек.
Определяются параметры сетки по дифракционной картинке и при прямом измерении. Проверяются
основные соотношения (2).
Принадлежности. Полупроводниковый лазер с длиной волны 670 нм, направляющая, набор
рейтеров, объект – две сетки с различным размером ячеек, голографическая дифракционная решетка 50
штрихов на мм, линза, экран для наблюдения с магнитами для крепления бумаги, карандаш, линейка.
Рис. 4. Схема опыта для наблюдения дифракции на сетке. 1 – Лазер 2. – Объект.
3. – Экран наблюдения. 4. – Направляющая
Методика проведения. Для наблюдения дифракции Фраунгофера используется установка,
схема которой дана на рис. 4. Световые параллельные лучи полупроводникового лазера освещают
объект-сетку и испытывают на ней дифракцию. Картина наблюдается на экране Э. Размер l между
объектом и экраном выбирается так, чтобы выполнялось условие 1 (Sin θ ≈ θ).
P
Схема рис. 4 собирается на направляющей рис. 5.
Измеряя положение дифракционных максимумов и расстояние l можно определить размер
ячейки сетки и сравнить его со значениями, полученными при непосредственном измерении размера
щели
38
Рис. 3. Дифракция на сетке. Расположение максимумов интенсивности на экране наблюдения Цель работы. В работе изучается дифракция лазерного света на сетках с различными размерами ячеек. Определяются параметры сетки по дифракционной картинке и при прямом измерении. Проверяются основные соотношения (2). Принадлежности. Полупроводниковый лазер с длиной волны 670 нм, направляющая, набор рейтеров, объект – две сетки с различным размером ячеек, голографическая дифракционная решетка 50 штрихов на мм, линза, экран для наблюдения с магнитами для крепления бумаги, карандаш, линейка. Рис. 4. Схема опыта для наблюдения дифракции на сетке. 1 – Лазер 2. – Объект. 3. – Экран наблюдения. 4. – Направляющая Методика проведения. Для наблюдения дифракции Фраунгофера используется установка, схема которой дана на рис. 4. Световые параллельные лучи полупроводникового лазера освещают объект-сетку и испытывают на ней дифракцию. Картина наблюдается на экране Э. Размер l между объектом и экраном выбирается так, чтобы выполнялось условие P 1 (Sin θ ≈ θ). Схема рис. 4 собирается на направляющей рис. 5. Измеряя положение дифракционных максимумов и расстояние l можно определить размер ячейки сетки и сравнить его со значениями, полученными при непосредственном измерении размера щели 38
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- …
- следующая ›
- последняя »