Рубрика:
32
542. Определить ширину запрещенной зоны полупроводниковой пласти-
ны, если при нагревании от 0 до 10 градусов Цельсия его удельное сопротивле-
ние уменьшилось в 2.28 раз. Из какого материала изготовлена пластина?
543. Перпендикулярно однородному магнитному полю, индукция которо-
го равна 0,1 Тл, помещена тонкая пластинка из примесного кремния. Толщина
пластинки соответствует 400 мкм. Определить плотность тока, при которой
холловская разность потенциалов достигнет значения 0,5 В. Постоянную Холла
для кремния принять равной 0,3 м
3
/Кл.
544. Удельное сопротивление кремния р-типа равно 10
–2
Ом⋅м. Опреде-
лить концентрацию дырок и их подвижность. Принять постоянную Холла рав-
ной 4⋅10
–4
м
3
/Кл.
545. Тонкая пластинка из кремния толщиной 200 мкм расположена пер-
пендикулярно силовым линиям однородного магнитного поля с индукцией 0,5
Тл. При плотности тока 2 мкА/мм
2
, направленного вдоль пластины, холловская
разность потенциалов оказалась равной 2,8 В. Определить концентрацию носи-
телей тока.
546. Концентрация носителей тока в чистом кремнии равна 5
.
10
10
см
–3
.
Определить сопротивление кремниевого стержня длиной 2 см и сечением 1 мм
2
при комнатной температуре.
547. Вычислить постоянную Холла для кремния, если его удельное со-
противление равно 6,2
.
10
2
Ом
.
м.
548. Кристалл из чистого германия, ширина запрещенной зоны которого
равна 0,72 эВ, нагревают от температуры 0
0
С до температуры 15
0
С. Во сколь-
ко раз возрастает его удельная проводимость?
549. При нагревании кристалла из чистого кремния от температуры 0
0
С
до температуры 10
0
С его удельная проводимость возрастает в 2,28 раза. По
этим данным определить ширину запрещенной зоны кристалла кремния.
550. Найти удельное сопротивление чистого германиевого образца при
температуре 100
0
С, если при 20
0
С оно составляет величину 0,5 Ом*м.
551. Вычислите дефект массы и энергию связи ядра кислорода . О
17
8
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 30
- 31
- 32
- 33
- 34
- …
- следующая ›
- последняя »
