Компьютерные технологии анализа и синтеза высокочастотных трансформаторов сопротивлений в усилителях мощности радиопередатчиков. Карякин В.Л. - 35 стр.

Компьютерные технологии анализа и синтеза высокочастотных трансформаторов сопротивлений
                       в усилителях мощности радиопередатчиков

 Благодаря низким питающим напряжениям и большим рабочим токам
транзисторов и, как следствие этого, небольшим входным и нагрузочным
сопротивлениям (десятки, единицы и даже доли ом) колебательные системы
на сосредоточенных LC-элементах выполняют на частотах до 1...2 ГГц, а в
микроминиатюрном исполнении—до 10...18 ГГц.


      3.3. Конструкция микрополосковых цепей согласования
                                транзисторных УМ
    Конструктивно          транзисторы         выполняют          с     минимальными
индуктивностями        выводов     и    в   первую     очередь    —     с   наименьшей
индуктивностью общего вывода. Для этого часто эмиттерный вывод в схеме с
ОЭ (или базовый в схеме с ОБ) соединяют непосредственно с корпусом
прибора, а остальные выводы делают в виде широких полосок. При этом
межэлектродные емкости и индуктивности выводов транзистора относительно
просто компонуются с остальными LC-элементами колебательной системы,
выполненными в виде «полосок». На относительно низких частотах (до 3...30
МГц), например в схеме на рис. 3.3а, при расчете емкости С1, достаточно
учитывать выходную емкость первого транзистора: С1действ = С1расч - Свых при
расчете индуктивности L2— индуктивность базового вывода второго
транзистора: L2действ =L2расч- Lвыв.
На частотах выше 30...100 МГц при расчетах выходной ЦС необходимо также
учитывать индуктивность коллекторного вывода, а при расчете входной ЦС
— емкость между базовым выводом и корпусом, т. е. требуется учитывать Г-
цепочки, образованные «внутри» транзистора. Более того, выпускаются
специальные транзисторы, предназначенные для работы на УКВ и СВЧ,
внутри корпуса которых (см. рис. 3.3г) во входной цепи добавлено специально
несколько LC-элементов, образующих ЦС в виде ФНЧ-трансформатора и
повышающих входное сопротивление транзистора до 0,5... 1,0 Ом в диапазоне


                                                                                          35
                                     Карякин В.Л.