Компьютерные технологии проектирования усилителей мощности телевизионных радиопередатчиков. Карякин В.Л. - 24 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУТИ | Самара

Составители: 

Рубрика: 

Компьютерные технологии проектирования усилителей мощности
телевизионных радиопередатчиков
Карякин В.Л.
24
может составлять 100...200 МГц и выше. Такие генераторы выполняют на так
называемых «балансных» транзисторах.
Балансный транзистор представляет собой два транзистора одного типа
проводимости, размещенных в одном корпусе (рис. 1.10).
Биполярные транзисторы включают как с ОЭ, так и с ОБ, а МДП-транзисторы
— с ОИ. Главное преимущество балансных транзисторов — значительное
уменьшение индуктивности общего вывода. Действительно, обе половинки
транзистора располагаются предельно близко друг к другу, поэтому их
индуктивности L
Э
(1)
и L
Э
(2)
(см. рис. 1.10) оказываются в 5... 10 раз меньше, чем
обычного транзистора, а общая индуктивность L
Э ОБЩ
хотя и остается большой, но
не вызывает обратной связи и снижения коэффициента усиления по мощности,
поскольку через нее эмиттерные токи обеих половинок протекают в противофазе.
Кроме того, при одинаковой номинальной мощности входное
Рисунок 1.10
сопротивление каждой из половинок возрастает в 2 раза, а так как по входу они
включены последовательно, то результирующее входное сопротивление
балансного транзистора увеличивается в 4 раза.
Как правило, внутри корпуса балансного транзистора во входной и
              Компьютерные технологии проектирования усилителей мощности
                           телевизионных радиопередатчиков

может составлять 100...200 МГц и выше. Такие генераторы выполняют на так
называемых «балансных» транзисторах.
  Балансный транзистор представляет собой два транзистора одного типа
проводимости, размещенных в одном корпусе (рис. 1.10).
  Биполярные транзисторы включают как с ОЭ, так и с ОБ, а МДП-транзисторы
— с ОИ. Главное преимущество балансных транзисторов — значительное
уменьшение индуктивности общего вывода. Действительно, обе половинки
транзистора располагаются предельно близко друг к другу, поэтому их
индуктивности LЭ(1) и LЭ(2) (см. рис. 1.10) оказываются в 5... 10 раз меньше, чем
обычного транзистора, а общая индуктивность LЭ ОБЩ хотя и остается большой, но
не вызывает обратной связи и снижения коэффициента усиления по мощности,
поскольку через нее эмиттерные токи обеих половинок протекают в противофазе.
Кроме того, при одинаковой номинальной мощности входное




                                      Рисунок 1.10
сопротивление каждой из половинок возрастает в 2 раза, а так как по входу они
включены    последовательно,     то    результирующее       входное        сопротивление
балансного транзистора увеличивается в 4 раза.
   Как правило, внутри корпуса балансного транзистора во входной и


                                   Карякин В.Л.                                       24

Страницы