ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Компьютерные технологии проектирования усилителей мощности
телевизионных радиопередатчиков
Карякин В.Л.
45
транзистора представлена на рис.2.28. Минимальные искажения соответствуют
току коллектора 1,5 А.
Рисунок 2.28
Зависимость входного комплексного сопротивления транзистора
INININ
jXRZ +=
от частоты при номинальных значениях коллекторного
напряжения и тока представлена на рис.2.29. Активная составляющая входного
сопротивления
IN
R
изменяется в пределах от 1 до 13 Ом при изменении частоты
от 400 до 900 МГц. Реактивная составляющая
IN
X
носит индуктивный характер и
изменяется при этом в пределах от 8 до 20 Ом.
Рисунок 2.29
Компьютерные технологии проектирования усилителей мощности
телевизионных радиопередатчиков
транзистора представлена на рис.2.28. Минимальные искажения соответствуют
току коллектора 1,5 А.
Рисунок 2.28
Зависимость входного комплексного сопротивления транзистора
Z IN = RIN + jX IN от частоты при номинальных значениях коллекторного
напряжения и тока представлена на рис.2.29. Активная составляющая входного
сопротивления RIN изменяется в пределах от 1 до 13 Ом при изменении частоты
от 400 до 900 МГц. Реактивная составляющая X IN носит индуктивный характер и
изменяется при этом в пределах от 8 до 20 Ом.
Рисунок 2.29
Карякин В.Л. 45
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 43
- 44
- 45
- 46
- 47
- …
- следующая ›
- последняя »
