ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Компьютерные технологии проектирования усилителей мощности
телевизионных радиопередатчиков
Карякин В.Л.
48
Рисунок 2.33
Зависимость нелинейных искажений
IMD
от коллекторного тока
cq
I
транзистора представлена на рис.2.34. Минимальные искажения соответствуют
току коллектора от 1,5 до 2,0 А.
Рисунок 2.34
Зависимость входного комплексного сопротивления транзистора
INININ
jXRZ +=
от частоты при номинальных значениях коллекторного
напряжения и тока представлена на рис.2.35. Активная составляющая входного
сопротивления
IN
R
изменяется в пределах от 2 до 6 Ом при изменении частоты
от 400 до 900 МГц. Реактивная составляющая
IN
X
носит индуктивный характер и
Компьютерные технологии проектирования усилителей мощности телевизионных радиопередатчиков Рисунок 2.33 Зависимость нелинейных искажений IMD от коллекторного тока I cq транзистора представлена на рис.2.34. Минимальные искажения соответствуют току коллектора от 1,5 до 2,0 А. Рисунок 2.34 Зависимость входного комплексного сопротивления транзистора Z IN = RIN + jX IN от частоты при номинальных значениях коллекторного напряжения и тока представлена на рис.2.35. Активная составляющая входного сопротивления RIN изменяется в пределах от 2 до 6 Ом при изменении частоты от 400 до 900 МГц. Реактивная составляющая X IN носит индуктивный характер и Карякин В.Л. 48
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- …
- следующая ›
- последняя »