Найти минимальную энергию образования пары электрон — дырка в чистом беспримесном полупроводнике, электропроводность которого возрастает в h=5,0 раз при увеличении температуры от Т1=300 К до Т2=400 К.
Повышение температуры катода в электронной лампе от значения Т=2000 К на dT=1,0 К увеличивает ток насыщения на h=1,4%. Найти работу выхода электрона из материала катода.
На рис 6.11 показан график зависимости логарифма электропроводности от обратной температуры (T, к К) для некоторого полупроводника n-типа. Найти с помощьюэтого графика ширину запрещенной зоны полупроводника и энергию активации донорных уровней.