На рис 6.11 показан график зависимости логарифма электропроводности от обратной температуры (T, к К) для некоторого полупроводника n-типа. Найти с помощьюэтого графика ширину запрещенной зоны полупроводника и энергию активации донорных уровней.
Найти минимальную энергию образования пары электрон — дырка в чистом беспримесном полупроводнике, электропроводность которого возрастает в h=5,0 раз при увеличении температуры от Т1=300 К до Т2=400 К.
При измерении эффекта Холла пластинку из полупроводника р-типа ширины h=10 мм и длины l=50 мм поместили в магнитное поле с индукцией В=5,0 кГс. К концам пластинки приложили разность потенциалов U=10 В.