Источники излучения для волоконно-оптических линий связи. Кавецкая И.В - 19 стр.

                                        19
      Оптическое излучение здесь распространяется исключительно вдоль
активной области, так как она окружена слоями с меньшими показателями
преломления, и имеет место волноводный эффект. Инжектированные носители
также "зажаты" в тонком активном слое из-за потенциальных барьеров зонной
структуры окружающих гетерограниц. Уменьшая ширину полоскового
контакта ω, снижают ёмкость p-n перехода и повышают рабочую частоту.
Необычайно высокая плотность как возбуждённых носителей, так и
электромагнитной волны приводит к радикальному снижению порогового тока
и улучшению характеристик таких лазеров. Реальные рабочие токи
современных полупроводниковых гетеролазеров лежат в диапазоне от сотен до
единиц миллиампер. Срок службы таких приборов при комнатной температуре
превышает 105 часов.




Рис. 9. Энергетическая схема (а), показатель преломления (б) и оптический выход (в)
                лазера на двойной гетероструктуре Ga xAl1-xAs/GaAs.