Методические указания к практическим занятиям по курсам "Волоконно-оптические датчики" и "Оптические методы в информатике". Кирин И.Г. - 22 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

22
1.39. 0.6 дБ; 1.8 дБ; 3.8 дБ
1.40. При больших аттомарных массах получается меньше
резонансные частоты,следовательно,меньшая дисперсия
наблюдается на больших длинах волн, где меньше Релеевское
рассеяние.
2. Газовые,твердотельные и полупроводниковые лазеры.
2.1. Ge-26, Si- 44, Ga As-56.
2.2. Ge 98.48 см
2
/с; Si 38.15 см
2
/с; GaAs 215 см
2
/с.
2.6. (а) 5*10
23
м
-3
(б) 0.577 (в) 27.6 Мгц (г) 6.9 А/мм
2
2.7. 5*10
5
ч, 7*10
5
ч.
2.8.
∆
λ
/[нм]=0.625
λ
2
/мкм
2
2.9. а) 911 , б) 1.4 нм ,в) 0.5 нм
2.10. - 11.5
2.12. Р=6 кВт
2.13. 1,2 Вт
α
≈
0.7 см
2.14. t=4*10
-12
с
2.15. g =0.005 см
-1
L =0.17 см
3.Фотоприемные устройства
3.1. (а) 0.48 А/Вт (б) 0.52 А/Вт (в) 0.57
3.2. (б) 48 1 В 15 В/мкм (в) 378 4В 15 В/мкм
3.3. (а) 1.5 еВ/
Гц (б) 0.6 нВ/ Гц
22
                                     22


1.39. 0.6 дБ; 1.8 дБ; 3.8 дБ

1.40. При больших аттомарных массах получается меньше
резонансные частоты,следовательно,меньшая дисперсия
наблюдается на больших длинах волн, где меньше Релеевское
рассеяние.


  2. Газовые,твердотельные и полупроводниковые лазеры.

2.1. Ge-26, Si- 44, Ga As-56.

2.2. Ge 98.48 см2/с; Si 38.15 см2/с; GaAs 215 см2/с.

2.6. (а) 5*1023 м-3 (б) 0.577 (в) 27.6 Мгц (г) 6.9 А/мм2

2.7. 5*105ч, 7*105ч.

2.8. ∆λ /[нм]=0.625 λ 2/мкм2

2.9. а) 911 , б) 1.4 нм ,в) 0.5 нм

2.10. - 11.5

2.12. Р=6 кВт

2.13. 1,2 Вт α ≈ 0.7 см

2.14. t=4*10-12 с

2.15. g =0.005 см-1    L =0.17 см



3.Фотоприемные устройства

3.1. (а) 0.48 А/Вт (б) 0.52 А/Вт (в) 0.57
3.2. (б) 48 1 В 15 В/мкм (в) 378 4В 15 В/мкм

3.3. (а) 1.5 еВ/    Гц (б) 0.6 нВ/    Гц




                                     22

Страницы