ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
28
2 +5
Высокая помехоустойчивость и минимальная потреб -
ляемая мощность
3 +9
Высокое быстродействие и низкая потребляемая мощ -
ность
4 +11 Минимальная энергия единичного переключения
5 +13 Высокое быстродействие, биполярная технология
6 2 из 5 Высокое быстродействие, униполярная технология
7 3 из 5 A = A
min
, биполярная технология
8 Джонсона
Минимальное число транзисторов при практической
реализации
4.2.3. Построить оптимальную схему преобразователя кода N
1
в код N
2
,
обеспечивающую в элементной базе ИС (табл. 4.3):
Таблица 4.3.
NN вариантов
Код N
1
Код N
2
Ограничения на выходные параметры
1 +4 БК Максимальное быстродействие при P = P
min
2 +2 3 из 5
Минимум транзисторов при практической
реализации
3 БК 3 из 5 P = P
min
при A = A
min
4 Грея 3 из 5 Высокая помехоустойчивость при P = P
min
5 +3 3 из 5
Высокое быстродействие, биполярная тех -
нология
6 Айкена
3 из 5
Высокое быстродействие, униполярная тех-
нология
7 +4 +2 A = A
min
8 +4 Грея P = P
min
, высокая нагрузочная способность
4.2.4. На основе триггера T
1
выполнить проектирование триггераT
2
, в эле-
ментной базе ИС обеспечивающего (табл. 4.4):
Таблица 4.4.
NN вариантов
T
1
T
2
Ограничения на выходные параметры
1 T WI Максимальное быстродействие при P = P
min
2 RS
WI
P = P
min
, высокая нагрузочная способность
3 JK WI A = A
min
4 DV
WI
Минимум транзисторов при практической реа-
лизации
5 WI T P = P
min
при A = A
min
6
WI
RS
Высокое быстродействие, униполярная техно-
логия
7 WI JK Максимальная помехоустойчивость
8
WI
DV
Высокое быстродействие, биполярная техноло-
гия
28
В ы сокая п омехоустойчив ость и минимальная п отреб-
2 +5
ляемая мощ ность
В ы сокое бы строд ейств ие и низ кая п отребляемая мощ -
3 +9
ность
4 +11 М инимальная э нергия ед иничногоп ереклю чения
5 +13 В ы сокое бы строд ейств ие, бип олярная технология
6 2 из5 В ы сокое бы строд ейств ие, унип олярная технология
7 3 из5 A = Amin, бип олярная технология
М инимальное числотранз исторов п ри п рактической
8 Д жонсона
реализ ац ии
4.2.3. П остроить оп тимальную схему п реобраз ов ателя код а N1 в код N2,
обесп ечив аю щ ую в э лементной баз е И С (табл. 4.3):
Т аблиц а4.3.
NN в ариантов К од N1 К од N2 О граничения нав ы ход ны е п араметры
1 +4 БК М аксимальное бы строд ейств ие п ри P = Pmin
М инимум транз исторов п ри п рактической
2 +2 3 из5
реализ ац ии
3 БК 3 из5 P = Pmin п ри A = Amin
4 Грея 3 из5 В ы сокая п омехоустойчив ость п ри P = Pmin
В ы сокое бы строд ейств ие, бип олярная тех-
5 +3 3 из5
нология
В ы сокое бы строд ейств ие, унип олярная тех-
6 А йкена 3 из5
нология
7 +4 +2 A = Amin
8 +4 Грея P = Pmin, в ы сокая нагруз очная сп особность
4.2.4. Н аоснов е триггераT1 в ы п олнить п роектиров ание триггераT2, в эле-
ментной баз е И С обесп ечив аю щ его(табл. 4.4):
Т аблиц а4.4.
NN в ариантов T1 T2 О граничения нав ы ход ны е п араметры
1 T WI М аксимальное бы строд ейств ие п ри P = Pmin
2 RS WI P = Pmin, в ы сокая нагрузочная сп особность
3 JK WI A = Amin
М инимум транз исторов п ри п рактической реа-
4 DV WI
лиз ац ии
5 WI T P = Pmin п ри A = Amin
В ы сокое бы строд ейств ие, унип олярная техно-
6 WI RS
логия
7 WI JK М аксимальная п омехоустойчив ость
В ы сокое бы строд ейств ие, бип олярная техноло-
8 WI DV
гия
