Основы эргономики и дизайна РЭС. Кольтюков Н.А - 108 стр.

UptoLike

108
Для удобства расчёта
y
cx
λ
заполняется табл. 4.3.
Для транзисторов в качестве
н
K берётся максимальный из сле-
дующих коэффициентов:
,/
дкэ.кэ
UU ,/
дкб.кб
UU ,/
дэб.эб
UU
д
/WW ,
где
кэ
U ,
кб
U ,
эб
U прямое напряжение между коллектором и эмит-
тером, коллектором и базой, эмиттером и базой;
дэб.дкб.дкэ.
,, UUU
допустимое прямое напряжение между коллектором и эмиттером, кол-
лектором и базой, эмиттером и базой; WW ,
д
допустимая и рассеи-
ваемая на транзисторе мощности.
Для диодов коэффициент нагрузки берётся с учётом коэффициен-
тов по прямому току I
пр
, обратному току I
обр
и напряжению U, тогда
{
}
)/();/();/(
номрабномобр.рабобр.номобр.рабобр.н
UUIIIIK
=
.
Коэффициент нагрузки для контактов реле, выключателей, ком-
мутационных устройств и монтажных проводов определяется отноше-
нием рабочего и номинального токов:
номрабн
/ IIK
=
, а для обмоток
реле и электромагнитов относительным временем нахождения их
под нагрузкой или относительной наработкой.
В заключение анализа надёжности разрабатываемого объекта рас-
считываются окончательные значения нормируемых ПН, которые учи-
тывают все возможные виды отказов отказы элементов электриче-
ской схемы, конструкционные, технологические, эксплуатационные
и др.
Например, анализ данных по отказам РЭС показывает, что 60%
всех отказов вызвано нарушениями ЭРЭ принципиальной схемы,
30% ошибками конструкции и 10% нарушениями технологии изго-
товления и сборки. Тогда для всего объекта общая интенсивность от-
казов определяется по формуле
ткcxоб
KK
λ=λ
,
где
тк
, KK поправочные коэффициенты, учитывающие увеличение
интенсивности отказов за счёт ошибок в конструкции и нарушений в
технологии соответственно.
Эти коэффициенты приближённо определяются по формулам:
5,1/)(
cxкcxк
=δδ+δ=
K ; 1,1)(/)(
ксxткcxт
=δ+δδ+δ+δ=
K ,
где ,
cx
δ
,
к
δ
т
δ
доли в процентах трёх видов отказов соответственно.