ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
7
цию с кислородом такие металлы, как вольфрам, золото, платина. При темпера-
туре меньше 200
0
С образуется слой Cu
2
O, толщина которого зависит от темпе-
ратуры нагрева и приобретает значения 10…1000 нм. Электрическая проводи-
мость образований Cu
2
O и CuO очень мала и сопротивление плёнок может дос-
тигать 10
6
Ом. Благородные металлы также подвержены окислению, однако,
процесс окисления протекает медленнее. Слой Ag
2
O толщиной 2…3 нм прочен
и легко разлагается при нагревании.
Слой оксидов является практически непроводящим. Однако под давлени-
ем он может быть частично разрушен, так как металл способен деформировать-
ся пластически, сохраняя сцепление; слой же оксидов не может следовать этой
деформации вследствие хрупкости. Поэтому, при давлении на контакты проис-
ходит скалывание инородного
слоя; появляются трещины, в которые проникает
металл, образуя проводящие контактные точки. По мере увеличения давления,
число контактных точек и проводящая поверхность увеличиваются. При нали-
чии скольжения между контактами образование трещин облегчается, так как
при этом появляются касательные напряжения, и происходит срез. Чем толще
плёнка, тем труднее проникновение металла в трещины.
К
сульфидным плёнкам относятся, например, тёмные пятна на серебре.
Возникают они в контактных условиях и представляют собой Ag
2
S. Сульфиди-
зация серебра происходит при наличии в атмосфере H
2
S или SO
2
и незначи-
тельной влажности. Продукты потускнения Ag
2
S намного легче самого серебра,
поэтому разрушаются механическим путём при замыкании контактов. Хотя
сульфид серебра Ag
2
S относится к группе полупроводников, его удельное со-
противление всё же очень велико – 10
8
Ом⋅см.
Пассивирующие плёнки, занимающие промежуточное положение между
адгезионными плёнками и плёнками потускнения, возникают иногда на по-
верхности некоторых металлов с валентностью 2 и более (например, цинк) и
имеют более или менее постоянную толщину, равную 1,0…1,5 нм. Электриче-
ское сопротивление пассивирующих плёнок изменяется со временем в зависи-
мости от степени включения туннельного
эффекта.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »