Рубрика:
РАБОТА 85. ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩИХ СВОЙСТВ p-n ПЕРЕХОДА
1. Цель работы
Данная работа знакомит с выпрямляющими свойствами (униполярной
проводимостью) p-n
перехода, представляющего собой основной элемент по-
лупроводниковых диодов и транзисторов.
2. Основные теоретические положения
На границе раздела полупроводников с разным типом проводимости
(электронной n и дырочной р) образуется p-n переход: двойной слой (область
объемного заряда ООЗ), характеризующийся высоким сопротивлением (рис. 1,
а). Положительный заряд расположен в n-области и возникает при диффузии
электронов в р-область, а отрицательный – в р-области (в результате диффузии
дырок в n
-область). Этот переходный слой, состоящий из неподвижных иони-
зованных атомов кристалла, обладает высоким сопротивлением и способен
расширяться или сужаться в зависимости от полярности и величины приложен-
ного к p-n переходу напряжения, при этом сопротивление перехода соответст-
венно возрастает или уменьшается.
++- -
n ++- - p
++- -
d
1
= d
2
d
= d
1 2
а б
Рис. 1
26
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 24
- 25
- 26
- 27
- 28
- …
- следующая ›
- последняя »
