Физика. Физика твердого тела. Комаровских К.Ф - 29 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

то можно при освещении светом использовать его как источник ЭДС – преоб-

разователь света в электричество. Наконец, диод выполненный из высокоомно-

го кремния с достаточно широкой базой обладает высокой магниточувстви-

тельностью, что нашло применение в датчиках магнитного поля. Изучение этих

свойств p-n перехода выходит за рамки данной работы.

4. Измеряемый образец и лабораторная установка

Схема установки показана на рис. 4.

Рис. 4

Здесь напряжение на кристаллический диод подаётся с делителя напря-

жения R. Так как сила прямого и обратного токов отличается на несколько по-

рядков, то при смене полярности диода надо изменять пределы измерений.

Сдвоенный переключатель П

позволяет одновременно с изменением на-

правления тока через диод изменить коэффициент шунтирования. Двухпре-

дельный шунт к микроамперметру мА образован сопротивлениями R

и R

Изучаемый диод установлен на изолирующей подставке. Клеммы её по-

мечены знаками “+” (анод) и “–“ (катод), а условный знак диода показывает

пропускное направление тока (по стрелке).